第四章存储器技术报告.ppt

上节课内容回顾 总线的基本概念：各个部件共享的传输介质 总线的分类：按传输方式、传输位数、连接部件、传输信息 总线特性：机械特性、电气特点、功能特性、时间特性 性能指标：总线宽度、总线带宽、时钟同步/异步、总线复用、信号线数、控制方式及其它 上节课内容回顾 总线标准：ISA、EISA、VESA、PCI、AGP、USB、RS-232C 总线结构：单总线结构和多种线结构 总线判优控制：集中式（链式、定时查询和独立请求）和分布式 上节课内容复习 总线通信控制 总线周期的4个阶段 申请分配阶段、寻址阶段、传输阶段、结束阶段 通信控制四种方式 同步通信、异步通信、半同步通信、分离式通信 第４章 存 储 器 知识点： 介绍主存储器的分类、工作原理、组成方式以及与其它部件的联系，还介绍了高速缓冲存储器、磁表面存储器等的基本组成和工作原理，使读者真正建立起如何用不同的存储器组成具有层次结构的存储系统的概念。 重点： 1）存储系统层次结构的概念，了解Cache－主存和主存－ 辅存层次的作用，以及程序访问的局部性原理与存储系统层次结构关系。 2）各类存储器（主存、Cache、磁表面存储器）的工作原理及技术指标。 3）半导体存储芯片的外特性以及与CPU的连接。 第４章 存 储 器 难点： 1）由于不同的存储芯片其基本单元电路是不同的，要在本质上理解其读写原理，提高对硬件电路的“读图”能力和分析能力。 2）在设计存储芯片与CPU连接电路时，关键在于存储芯片选片逻辑的确定，要综合应用电路知识，结合存储芯片的外特性，合理选用芯片，准确画出存储芯片与CPU的连接图。 3）不同的Cache－主存地址映像，直接影响主存地址字段分配及替换策略和命中率。 第４章 存 储 器 4.1 概述 4.2 主存储器 4.3 高速缓冲存储器 4.4 辅助存储器 4.1.1 存储器分类 4.1.1 存储器分类 4.1.1 存储器分类 4.1.2 存储器的层次结构 4.1.2 存储器的层次结构 4.2.1 概述 4.2.1 概述 4.2.1 概述 4.2.1 概述 4.2.2 半导体存储芯片简介 4.2.2 半导体存储芯片简介 4.2.2 半导体存储芯片简介 4.2.2 半导体存储芯片简介 4.2.2 半导体存储芯片简介 4.2.3 随机存取存储器 (RAM) 4.2.3 随机存取存储器 (RAM) 4.2.3 随机存取存储器 (RAM) 4.2.3 随机存取存储器 (RAM) 4.2.3 随机存取存储器 (RAM) 上节课内容复习 存储器分类 存储介质、存取方式、在计算机中分类 存储器的层次结构 缓存－主存 主存－辅存 主存 存储单元地址的分配、主存的技术指标、 半导体存储芯片的基本结构、存储芯片的译码方式（线选和重合） 上节课内容回顾 SRAM和DRAM的比较 存储器扩展：位扩展、字扩展、字位扩展 存储器与CPU的连接：地址线的连接、数据线的连接、读/写命令线的连接、片选线的连接、合理选择存储芯片 练习：设CPU共有16根地址线，8根数据线，并用IO/ M作访存控制信号，用R/W作读写命令信号，现有下列存储芯片及138译码器和各种门电路（自定）。 RAM 2K×8位， 4K×4位， 8K×8位 ROM 2K×8位， 4K×8位， 8K×8位 画出CPU与存储器的连接图，要求 1 最小8K地址空间为系统程序区，与其相邻的4K地址空间为用户程序区； 2 合理选用上述存储芯片，并写出每片存储芯片的地址范围； 3 详细画出存储芯片的片选逻辑。 4.3 高速缓冲存储器 上节课内容回顾 高速缓存的作用 高速缓存的工作原理：编址方式、命中率、效率 高速缓存的基本结构：存储体、地址映射机构、替换机构 高速缓存的读写方式（写直达法、写回法） 高速缓存的改进方法：分级、分立 高速缓存地址映射的三种方法：直接映射 4.4 辅助存储器 TTL 与 MOS 1 TTL电平(什么是TTL电平)： 输出高电平2.4V,输出低电平0.4V。在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平：输入高电平=2.0V，输入低电平=0.8V，噪声容限是0.4V。 2 CMOS电平： 逻辑1电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。 3 电平转换电路： 因为TTL和COMS的高低电平的值不一样（ttl 5v＝＝cmos 3.3v），所以互相连接时需要电平的转换：就是用两个电阻对电平分压。 TTL 与 MOS 4 TTL和COMS电路比较： 1）TTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压