场效应管放大电路new概要.ppt

可变电阻区 夹断区 结型场效应管的特性比较 增强型MOS管特性比较 耗尽型MOSFET的特性比较 双极型三极管与场效应三极管的比较 场效应三极管的型号 几种常用场效应三极管的主要参数 1、直流偏置及静态工作点的计算： (2) 分压式自偏压电路 低频模型 高频模型 3、小信号模型分析法： 其中：rgs、rds都很大 2、工作原理 P N N G S D UDS UGS UGS=0时 D-S 间相当于两个反接的PN结 ID=0 对应截止区 P N N G S D UDS UGS UGS0时 UGS足够大时（UGSVT）感应出足够多电子，这里出现以电子导电为主的N型导电沟道。 感应出电子 VT称为阈值电压 UGS较小时，导电沟道相当于电阻将D-S连接起来，UGS越大此电阻越小。 P N N G S D UDS UGS P N N G S D UDS UGS 当UDS不太大时，导电沟道在两个N区间是均匀的。 当UDS较大时，靠近D区的导电沟道变窄。 P N N G S D UDS UGS 夹断后，即使UDS 继续增加，ID仍呈恒流特性。 ID UDS增加，UGD=VT 时，靠近D端的沟道被夹断，称为予夹断。 3、V-I特性曲线及大信号特性方程 （1）转移特性曲线： 0 iD vGS VT FET是电压控制器件，iD=f(vGS)|vDS=常数