工程材料2技术报告.ppt

本章的重点：1、原子键合机制2、三种常见的晶体结构及其基本性能。3、实际金属的晶体缺陷及其对性能的影响。4、结晶条件、结晶过程及细化晶粒的基本方法。难点：结晶机理。晶面指数与晶向指数的确定。 三、共价键(covalent bond ) 最有代表性的共价晶体为金刚石。金刚石由碳原子 构成，每个碳原子贡献出4个价电子与它周围的4个碳 原子共用最外层的电子，使每个碳原子最外层获得满 层8个电子。形成4个共价键，构成四面体。 § 1-3 不同键结合的特性 工程材料中虽然有不同的键合机制，但却存在 着主次之分。如金属材料，以金属键为主，氧化 物陶瓷以离子键为主，高分子材料以共价键为主。 不同键结合的强弱是用结合键能来表达的。键 能从高到低依此为：离子键—共价键—金属键— 分子键。键能越高，材料的熔点及硬度越高。 ⑵ 晶胞：晶体中有代表性的最小的几何单元，称为晶胞。 体心立方晶格 体心立方晶格 ②面心立方晶格face-centered cubic lattice(fcc) 面心立方晶格 面心立方晶格 ③ 密排六方晶格 密排六方晶格 密排六方晶格 (1)基本概念 晶面：晶体中不同方位的原子面（通过原子中心的平面）称为晶面。 晶向：晶体中不同方向的原子列（通过原子中心的方向）称为晶向。 (2)立方晶系的晶面表示方法 选定不在预定晶面上的晶格中任一结点为坐标原点，以与该点连接的三条棱边为坐标轴，即OX, OY, OZ； 以晶格常数a作为坐标轴上的度量单位，求出欲定晶面在3个坐标轴上的截距(截距负值时，在指数上方加“－”)； 求3个截距的倒数，化为最小整数； 将3个整数加圆括号，整数间不加标点，如(hki)。 错误写法：(1,0,0) (0 -1 0)。 随堂练习 晶面族: (hkl)是以某个特定晶面求得的晶面指数，由于坐标系可平移，此晶面指数实际代表原子排列相同的所有平行晶面的晶面指数。 (3)立方晶系的晶向表示方法 晶向用晶向指数来表示。 通过坐标原点引一直线，使其平行于所求的晶向。 求出该直线上任一结点的3个坐标值。 将3个坐标值按比例化为最小整数，加一方括号，即为所求的晶面指数，其一般形式为[uvw]。 指数为负值时，在指数上方加“－”号。 随堂练习 晶向指数[uvw]所表示的不仅仅是一条直线的位向，实际表示一组原子排列相同的平行晶向。 若两组晶向的全部指数数值相同，符号相反，则它们相互平行或为同一原子列，但方向相反。 立方晶系常见的晶面为： {110} 立方晶系常见的晶向为： 111 ⑷ 晶面与晶向原子密度 单位面积晶面上的原子数称晶面原子密度。 单位长度晶向上的原子数称晶向原子密度。 原子密度最大的晶面或晶向称密排面或密排方向。 体心和面心立方晶格的密排面和密排方向 六、实际金属的晶体结构 ① 点缺陷 空间三维尺寸都很小的缺陷。 a. 空位：晶格中某些缺排原子的空结点。 b. 间隙原子：挤进晶格间隙中的原子。可以是基体金属原子，也可以是外来原子。 c. 置换原子：取代原来原子位置的外来原子称置换原子。 点缺陷破坏了原子的平衡状态，引起周围晶格产生畸变，阻碍原子的移动，必需施加更大的外力，从而使强度、硬度提高，塑性、韧性下降。 ② 线缺陷—（在一维方向上尺寸较大的缺陷) 晶体中最普通的线缺陷是位错，它是在晶体中某处有一列或若干列原子发生了有规律的错排现象。 ②螺型位错：晶体右边的上部的点相对于下部的点向后错动一个原子间距，即右边上部相对于下部晶面发生错动。将错动区的原子用线连接起来，具有螺旋型特征。 位错对性能的影响：不论刃型位错还是螺型位错，以位错线为中心的管道区周围晶格都发生了畸变，从而阻碍位错的运动，使材料的强度提高。由于线缺陷的影响面比点缺陷大的多，因此对材料性能的影响也大的多。 位错密度：单位体积位错线总长度。 ? = S/V(cm/cm3或1/cm2) 金属的位错密度为104~1012/cm2 减少或增加位错密度都可以提高金属的强度。 面缺陷包括晶界和亚晶界。 晶界是晶粒与晶粒之间的界面，由于晶界原子需要同时适应相邻两个晶粒的位向，就必须从一种晶粒位向逐步过渡到另一种晶粒位向，成为不同晶粒之间的过渡层，因而晶界上的原子多处于无规则状态或两种晶粒位向的折衷位置上。 晶粒内部也不是理想晶体，而是由位向差很小的称为嵌镶块的小块所组成，称为亚晶粒。 亚晶粒尺寸比晶粒小2~3个数量级，通常为10-8 ~ 10-6m。 亚晶粒的边界称为亚晶界。  1、合金：由两种或两种以上的金属或金属与非金属元素组成的具有金属特性的物质叫合金。 2、组元：组成合金的独立的最基本的单元（一般是一种元素或一种稳定的化合物）。 3、相：金属或合金