半导体第十六讲新型封装.教案分析.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 大马士革镀铜，要求每分钟镀一片，TSV要求20分钟以内，业内有采用甲基磺酸铜的倾向 难点之三：较高的沉积速率 TSV硅孔的孔内面积（平方微米） 填孔所需镀铜时间（分钟） ● ● 数据来源：罗门哈斯 镀铜互连技术最大难点 杂质含量多要求在ppb量级水平，微尘数量必须在很少的范围 难点之四：纯度要求高 镀铜互连技术最大难点 我们取得的核心成果 Inclined Vias Vertical Vias 不同硅孔填充效果 我们发现的填充机制 我们与上海新阳半导体材料股份公司合作，经过近两年的努力，发现了新的填充机制，据此已成功开发出国内第一代超级镀铜溶液，效果良好。目前，正在进行工业化产品开发 加速区 抑制区 极化电位 电流 我们发现的镀铜超填充机制 加速剂尽量在低极化区发挥作用； 抑制剂尽可能在高极化区发挥作用 chip RCC core substrate adhesive chip RCC core substrate adhesive 基于芯片/器件内置的基板镀铜技术 电镀/印刷 Au/Ni 电镀/印刷 凸点材质 焊锡球 金 金 电镀 金 金镀层 熔融键合 基板侧 表面材质 焊锡层 焊锡层 制备方法 制备方法 电镀/印刷 电镀/印刷 电镀 电镀 接触键合 各项异性导电胶 Au/Ni 电镀 高密度键合互连技术 含Cr中低温新型无铅焊料 Sn-9Zn-0.05Cr Sn-9Zn-0.3Cr Sn-9Zn-0.1Cr Sn-9Zn Sn-9Zn-XCr 0 0.05 0.1 0.3 加 热 前 加 热 后 250℃×25 h 使金相组织显著细化 抗氧化性提高近三倍 延展性提高30%以上 润湿性得到相应改善 有效抑制IMC层生长 随着绿色电子技术的发展，微互连关键材料——无铅焊料的应用越来越广泛。但目前应用的无铅焊料存在着熔点高、成本高、焊接界面IMC层生长过快或抗氧化性较差，抗冲击性不好等问题。为此，本研究室展开了大量的基础研究工作，成功开发了一系列含微量Cr新型中低温无铅焊料。该成果申请国家发明专利6项（已授权4项）。 微量Cr的作用 焊料的抗氧化性 IMC层的抑制效果 焊料的力学性能 Sn-3Ag-3Bi Sn-3Ag-3Bi-0.1Cr Sn-9Zn-3Bi-xCr Sn-3Ag-3Bi-0.3Cr Sn-3Ag-3Bi 上海市浦江人才计划（No.05PJ4065） Journal of Electronic Materials, 35:1734 2006 Cr对Sn-Ag-Bi焊料IMC层的抑制效果 三维封装对键合技术的新要求 键合尺寸进一步降低，凸点等精度要求提高； 降低键合温度，减少应力影响 尽量避免使用助焊剂 前后道工艺有良好兼容性； 简化工艺，降低成本； 凸点的无铅化； DIE Chip Chip 印刷线路板（PCB） 高密度微凸点的电沉积制备技术 随着封装密度的提高和三维封装技术的发展，微凸点尺寸与间距变得越来越小。当凸点尺寸缩小到40微米以后，目前工业上采用的置球法和丝网印刷法将难于保证精度，成本也将大幅上升。光刻-电沉积方法是高密度凸点形成的有效方法。本研究所已成功开发了无铅微凸点的整套技术，为今后工业化生产奠定了基础。 电沉积后的微凸点 回流后的微凸点 电沉积微凸点的制作过程 电沉积法制备高密度凸点的优势 各种各样的电镀凸点 电沉积后的Sn凸点 回流后的微凸点 我们研究室制作的各种凸点 Cu/Ni/In凸点 电镀凸点应注意的事项 需要等离子刻蚀 镀液要保证良好的浸润性 超声处理有助于凸点形成 低温键合互连技术进展 接插式键合互连方法 数据来源：日立 Au-In低温互连 低温键合技术进展 在低温下生成高熔点的金属间化合物 基于纳米阵列材料的低温固态互连技术 SEM images of the Ni nanocone arrays. a Low magnification, b high magnification. Demonstration of the bonding process. Shear strength of the bumps. SEM image of the interface. a, b edge of the bump, c, d center of the bump. 电子封装中的微互连大都采用焊料的熔融焊接方法，由于存在助焊剂污染，熔融焊料流溢等问题，很难适应今后的三维高密度封装。为此，我们提出了基于纳米阵列材料的低温固态焊接方法，根据目前的初步研究，证明该方法是非常可行的，在今后3D高密度电子封装技术中有望得到推广应用。 表面纳米阵列材料是指表