半导体激光器-.教案分析.ppt

* * * * 量子阱的分立能级和态密度 量子线的分立能级和态密度 * 量子点的分立能级和态密度分别 m, n, l=1，2，3 …… * 量子阱中，导带和价带的态密度分布由抛物线形能带变为阶梯状，形成了以量子化能级为最低能态的二维“子带”组。 二维“子带”使得电子和空穴在其上的填充情况大为改变，增大了吸收边光跃迁的状态数，发射光谱变窄。 * 量子阱激光器工作原理 受激发射必须满足的条件为： 设激光器的腔长为L，端面反射率为R1、R2，内部吸收损耗为?，光限制因子为?，因激光器应满足的阀值条件为： 进一步推广至各子能带情况： * SQW： MQW： SQW和MQW Na个势阱和Nb个势垒，n 为有源区势垒层和势阱层的平均折射率。?表示的是折射率为n的等效层（厚度为Nata+Nbtb）的光限制因子。?m正比于势阱的总厚度同势阱和势垒的总厚度和之比值。MQW的?m可达0.2，比?s要大得多。 SCH-SQW * 量子阱激光器的新特点 态密度呈阶梯分布，光子能量h?=Ec1-Ehh1Eg，??g， ?蓝移。 辐射复合主要发生在Ec1和Ehh1两个能级之间，发射光谱的谱线窄。 很高的注入效率，易于实现粒子数反转。 温度稳定性好 声子协助载流子跃迁。 * 量子阱激光器的特性 阀值特性: 比DH LD低5-10倍, 能小于1mA。 P-I特性 外量子效率, 可达80%以上. 特征温度T0可达160K以上. * AlGaInP量子阱激光器的P-I特性曲线和光谱特性 半导体激光器的主要特性 1. 发射波长和光谱特性 不同半导体材料有不同的禁带宽度Eg，因而有不同的发射波长λ 峰值波长：在规定输出光功率时，激光器受激辐射发出的若干发射模式中最大强度的光谱波长。 中心波长：在激光器发出的光谱中，连接50％最大幅度值线段的中点所对应的波长。 GaAlAs-DH激光器的光谱特性 (a) 直流驱动; (b) 300 Mb/s数字调制 0 799 800 801 802 Im/mA 40 35 30 25 I=100mA Po=10mW I=85mA Po=6mW I= 8 0mA Po=4mW I=75mA Po=2.3mW L=250μm W=12 μm T=300K 830 828 832 830 828 832 830 828 826 832 830 828 826 824 836 834 832 830 828 826 824 822 820 (a) (b) 在直流驱动下， 发射光波长只有符合激光振荡的相位条件式的波长存在。这些波长取决于激光器纵向长度L，并称为激光器的纵模。 驱动电流变大，纵模模数变小 ，谱线宽度变窄。 这种变化是由于谐振腔对光波频率和方向的选择，使边模消失、主模增益增加而产生的。 当驱动电流足够大时，多纵模变为单纵模，这种激光器称为静态单纵模激光器。 图（b)是300 Mb/s数字调制的光谱特性， 由图可见，随着调制电流增大，纵模模数增多，谱线宽度变宽。 2. 激光束的空间分布 激光束的空间分布用近场和远场来描述。 近场是指激光器输出反射镜面上的光强分布； 远场是指离反射镜面一定距离处的光强分布。 图是GaAlAs-DH激光器的近场图和远场图，近场和远场是由谐振腔(有源区)的横向尺寸，即平行于PN结平面的宽度w和垂直于结平面的厚度t所决定，并称为激光器的横模。 由图3.8可以看出，平行于结平面的谐振腔宽度w由宽变窄，场图呈现出由多横模变为单横模；垂直于结平面的谐振腔厚度t很薄，这个方向的场图总是单横模。 GaAlAs-DH条形激光器的近场和远场图样 典型半导体激光器的远场辐射特性和远场图样 (a) 光强的角分布； (b) 辐射光束 图为典型半导体激光器的远场辐射特性，图中θ‖和θ⊥分别为平行于结平面和垂直于结平面的辐射角，整个光束的横截面呈椭圆形。 3. 转换效率和输出光功率特性 激光器的电/光转换效率可用功率效率和量子效率表示。量子效率又分为内量子效率、外量子效率以及外微分量子效率。