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第一章 半导体器件 基础 电子技术分类 模拟电子:模拟信号.分析信号的产生和处理过程. 数字电子:数字信号.分析输入和输出的逻辑功能. 重点 1.半导体二极管的单向导电性及特性曲线 2.半导体三极管的电流分配和放大作用 3.半导体三极管的输出特性曲线和三种工作状态 1.1 半导体基础知识 1．试求图所示电路的输出电压Uo，忽略二极管的正向压降和正向电阻。 2）若D2导通，忽略D2的正向压降和正向电阻，得等效电路如图所示，则UO=4V，在这种情况下，D1两端电压为UD1=4-1=3V，远超过二极管的导通电压，D1将因电流过大而烧毁，所以正常情况下，不因出现这种情况。综上分析，正确的答案是 UO= 1V。 （b）图分析： 1.由于输出端开路，所以D1、D2均受反向电压而截止，等效电路如图所示，所以UO=UI=10V。 2.在图所示电路中，uI =10sinωt V，E = 5V，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压uo的波形。 当uI＜E时，D截止，uO=E=5V； 当uI≥E时，D导通，uO=uI uO波形如图所示。 （b）图 当uI＜-E=-5V时,D1导通D2截止，uo=E=5V； 当-E＜uI＜E时，D1导通D2截止，uo=E=5V； 当uI≥E=5V时，uo=uI 所以输出电压uo的波形与（a）图波形相同 3.有两个稳压管Dz1和DZ2，其稳定电压分别为5.5V和8.5V，正向压降都是0.5V。如果要得到0.5V、6V、9V和14V几种稳定电压，这两个稳压管(及限流电阻)应该如何联接?画出各个电路。 测得工作在放大电路中四个晶体管三个电极电位U1、U2、U3分别为下列各组数值，判断它们是NPN型还是PNP型，是硅管还是锗管。确定e、b、c三个电极。1）U1=3.5V，U2=2.8V，U3 = 12V （1）半导体三极管从结构上可分为NPN型和PNP型两大类，它们均由三个掺杂区和两个背靠背的PN结构成，但两类三极管的电压极性和电流方向相反。 （2）三个电极：基极 b、集电极 c、和发射极 e。（3）内部结构特点：发射区的掺杂浓度远大于集电区的掺杂浓度；基区很薄，且掺杂浓度最低。（4）三个区作用：发射区发射载流子、基区传输和控制载流子、集电区收集载流子。 * 分类: 按材料分：硅管、锗管 按结构分：NPN、 PNP 按使用频率分：低频管、高频管 按功率分： 小功率管 500 mW 中功率管 0.5 ?1 W 大功率管 1 W 1.3.2 三极管电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 B E C N N P EB RB EC RC 发射结正偏、集电结反偏 PNP 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 从电位的角度看： NPN 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 2. 各电极电流关系及电流放大作用 IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 结论: 1）三电极电流关系 IE = IB + IC 2） IC ?? IB ， IC ? IE 3） ? IC ?? ? IB β= ? IC / ? IB 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。 IC与IB之比称为电流放大倍数 要使三极管能放大电流，必须使发射结正偏，集电结反偏。 1.3.3.晶体管的共射特性曲线 IC mA ?A V V UCE UBE RB IB EC EB 实验线路 A、输入特性 UCE ?1V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 工作压降： 硅管UBE?0.6~0.7V,锗管UBE?0.2~0.3V。 UCE=0V UCE =0.5V 死区电压，硅管0.5V，锗管0.1V。 输入特性曲线 ＩB=f(ＶBE，UCE )　　输入特性曲线是指当UCE为某一常数时，ＩB和UBE之间的关系。　　 特点：UCE=0的输入特性曲线和二极管的正向伏安特性曲线类似；随着UCE增大，输入特性曲线右移；继续增大UCE，输入特性曲线右移很少。　　 在工程上，常用UCE=1时的输入特性曲线近似代替UCE1V时的输入特性曲线族。 B、输出特性 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(