半导体器件物理第二章.教案分析.ppt

练习： 1、施加正偏电压时，求pn结空间电荷区边缘处的少子空穴浓度。 考虑T=300K时的硅pn结，ni=1.5×1010cm-3。氮掺杂浓度为1×1016cm-3。正偏电压为Va=0.60V。计算空间电荷区边缘的少子空穴浓度。 2、设计一个pn结二极管，以在给定的正偏电压下产生以下的电子和空穴电流密度。 Va=0.65V时，Jn=20A/cm2， Jp=5A/cm2 考虑T=300K时的硅pn结，具体参数如下： Na=Nd=1016cm-3 ni=1.5×1010cm-3 Dn=25cm2/s τp0= τn0=5×10-7s Dp=10cm2/s εr=11.7 2.5 pn结中的隧道电流 2.9 电荷贮存和反响瞬变 PN结二极管的开关作用： PN结二极管处于正向偏置时，允许通过较大的电流，处于反向偏置时通过二极管的电流很小，因此，常把处于正向偏置时二极管的工作状态称为开态，而把处于反向偏置时的工作状态叫作关态。可见结二极管能起到开关作用。 * 2.9 电荷贮存和反响瞬变 PN结的反向瞬变 * 2.9 电荷贮存和反响瞬变 PN结二极管的电荷贮存效应： PN结加一恒定的正向偏压时，载流子被注入并保持在结二极管中，在扩散区建立确定的非平衡少数载流子分布，这种现象称为电荷贮存效应。 注入的载流子分布： * 2.9 电荷贮存和反响瞬变 * 2.9 电荷贮存和反响瞬变 * 2.9 电荷贮存和反响瞬变 * 2.9 电荷贮存和反响瞬变 * 2.9 电荷贮存和反响瞬变 * ts降低 2.9 电荷贮存和反响瞬变 * 2.10 P-Ｎ结击穿 * 2.10 P-Ｎ结击穿 PN结击穿：当加在PN结上的反偏压增加到一定数值，再稍微增加，PN结就会产生很大的反向电流。这种现象叫做结击穿。击穿过程并非具有破坏性的，只要最大电流受到限制，它可以长期地重复。 击穿机制： 齐纳击穿：齐纳提出在高电场下耗尽区的共价键断裂产生电子和空穴，即有些价电子通过量子力学的隧道效应从价带转移到导带，从而形成反向隧道电流。齐纳击穿发生在低电压情况下，比如硅PN结低于4伏特情况下发生的击穿。 雪崩击穿：对于高电压击穿的结，例如，在硅中大部分的击穿，雪崩机制是产生击穿的原因。 * 2.10 P-Ｎ结击穿 * 电离系数：一个电子（空穴）在单位距离路程上所产生的电子-空穴对的数目称为电子（空穴）的电离系数。 2.10 P-Ｎ结击穿 * 2.10 P-Ｎ结击穿 * 例题： 计算硅单边突变结的击穿电压。 解：（ 2 - 1 - 6 ）式中 n x 换成 W ，再代入式（ 2 - 1 10 - 11 ）得到 ÷ ? ? ? è ? - - = W x B A m 1 exp e a （ 2 - 1 0 - 12 ） 注意在公式（ 2 - 1 - 6 ） ÷ ÷ ? ? ? ? è ? - = n m x x 1 e e （ 2 - 1 - 6 ） 中。最大电场在 0 = x 处，大多数雪崩倍增发生在那里。作为近似计算，可采 用级数展开以简化指数 项，并考虑到对于 x ~ 0 ，有 W x W x W x + ? + + = - 1 1 1 1 L （ 2 - 1 0 - 13 ） 把（2-10-12）和（2-10-13）式代入（2-10-14）式并求积分得到 把（2-1-5）和（2-2-1）式一起用于（2-10-14）式时，就得到雪崩击穿电压与轻掺杂一边杂质浓度的关系。 （2-10-14） * 2.10 P-Ｎ结击穿 * 2.10 P-Ｎ结击穿 * 2.10 P-Ｎ结击穿 * 通用公式： 对于硅、锗、砷化镓和磷化镓四种材料 ? ? t ? ? y ü ÷ ? ? ? è ? ′ ÷ ÷ ? ? ? ? è ? = ÷ ? ? ? è ? ÷ ÷ ? ? ? ? è ? = - - 5 2 20 5 6 4 3 16 2 3 10 3 1 . 1 60 10 1 . 1 60 a E V N E V g BL B g BS （ 2 - 1 0 - 15 ） 式中 ﹕ B N ﹦单边突变结轻掺杂一侧掺杂浓度。 BS V ﹦单边突变结雪崩击穿电压。 BL V ﹦线性缓变结雪崩击穿电压。 雪崩击穿时，空间电荷区的最高电场强度（临界电场强度