半导体器件物理第四章.教案分析.pptVIP

概念：同质结、异质结、金半结、欧姆接触 同质结：同材料PN结 异质结：不同材料PN结 金半结：金属与半导体接触（肖特基势垒二极管） 欧姆接触：没有整流效应的接触 功函数：电子溢出表面吸收的最小能量。 4.9欧姆接触：非整流的M-S结 4.9欧姆接触：非整流的M-S结 欧姆接触:定义为这样一种接触，它在所使用的结构上不会添加较大的寄生阻抗，且 不足以改变半导体内的平衡载流子浓度使器件特性受到影响。 考虑 的金属和N型半导体对。图14是它们在接触之前和接触后的能带图。 图4-14 ＜ 的金属和N型半导体的接触的能带图：（a）接触之前，（b）接触之后处于平衡态 4.9欧姆接触：非整流的M-S结 图4-14 ＜ 的金属和N型半导体的接触的能带图：（c）在半导体一边加上负电压，（d）在半 导体一边加上正电压 4.9欧姆接触：非整流的M-S结 可以看出在结处几乎不存在势垒，因此载流子可以自由地通过任一方向， 结果，这种 M-S结是非整流的. 金属－P型半导体： ：欧姆结 ：整流结 金属－N型半导体： ：整流结 ：欧姆结 金属和重掺杂半导体之间形成欧姆接触：载流子可以隧道穿透而不是越过势垒。 4.9欧姆接触：非整流的M-S结 图4-15金属在 半导体上的接触的能带图和电流?电压曲线 4.9欧姆接触：非整流的M-S结 金属－P型半导体： ：欧姆结 ：整流结 金属－N型半导体： ：整流结 ：欧姆结 画出了金属－N型半导体（ ）的能带图根据能带图解释了欧姆结的形成。 由于表面态的存在金属和半导体的欧姆接触只是理想情况。 一种实际可行的方法是使用金属和重掺杂半导体来形成欧姆接触。 金属和重掺杂半导体之间形成欧姆接触的物理机制是载流子可以隧道穿透而不是越过势垒。 小结 推导见课本 * 4.4肖特基势垒二极管的电流电压特性 4.4肖特基势垒二极管的电流电压特性 热电子和热载流子二极管：当电子来到势垒顶上向金属发射时，它们的能量比金属电子高出约 。进入金属之后它们在金属中碰撞以给出这份多余的能量之前，由于它们的等效温度高于金属中的电子，因而把这些电子看成是热的。由于这个缘故，肖特基势垒二极管有时被称为热载流子二极管。这些载流子在很短的时间内就会和金属电子达到平衡，这个时间一般情况小于 一、空间电荷区中载流子浓度的变化 对于非简并化情况，导带电子浓度和价带空穴浓度为 （4-5-1） 4.4肖特基势垒二极管的电流电压特性 设半导体内本征费米能级为 ，热平衡时半导体内部的载流子浓度为 表面空间电荷区内，本征费米能级为 则空间电荷区中载流子浓度为 （4-5-2） （4-5-3） （4-5-4） （4-5-5） 4.4肖特基势垒二极管的电流电压特性 在半导体与金属界面处 称为表面势。 取半导体内为电势零点，则表面势 =- 二、电流－电压特性〔李查德－杜师曼（Richardson-dushman）方程〕 在 M-S 界面 （4-5-6） （4-5-7） 4.4肖特基势垒二极管的电流电压特性 （4-5-9） 即 当有外加电压 时 （4-5-10） 4.4肖特基势垒二极管的电流电压特性 由气体动力论，单位时间入射到单位面积上的电子数即进入金属的电子数为 式中 为热电子的平均热运动速度， 为电子有效质量。 于是电子从半导体越过势垒向金属发射所形成的电流密度为 与此同时电子从金属向半导体中发射的电流密度为 （4-5-11） （4-5-12） 4.4肖特基势垒二极管的电流电压特性 总电流密度为 导带有效状态密度为 ，代入 、 ，得到热电子发射理论的电流—电压关系 （4-5-14） （4-5-13） 4.4肖特基势垒二极管的电流电压特性 其中 称为有效里查森常数，它是在电子向真空中发射时的里查森常数中，用半导体 电子的有效质量代替自由电子质量而得到的。 代入有关常数，最后得到 的单位为 ，其数值依赖于有效质量，对于N型硅和P型硅，分别为 110