第六薄膜淀积精要.ppt

第六章 薄膜淀积 概述： 薄膜淀积是芯片加工过程中一个至关重要的工艺步骤，通过淀积工艺可以在硅片上生长导各种导电薄膜层和绝缘薄膜层。 CMOS晶体管的各层膜 引 言 从MSI到LSI时代，芯片的设计和加工相对较为直接，上图给出了制作一个早期CMOS所需的淀积层。图中器件的特征尺寸远大于1μm。如图所示，由于特征高度的变化，硅片上各层并不平坦，这将成为VLSI时代所需的多层金属高密度芯片制造的限制因素。 随着特征尺寸越来越小，在当今的高级微芯片加工过程中，需要6层甚至更多的金属来做连接,各金属之间的绝缘就显得非常重要，所以，在芯片制造过程中，淀积可靠的薄膜材料至关重要。薄膜制备是硅片加工中的一个重要工艺步骤。 ULSI硅片上的多层金属化 芯片中的金属层 薄膜淀积 半导体器件工艺中的“薄膜”是一种固态薄膜。 薄膜淀积是指任何在硅片衬底上物理淀积一层膜的工艺，属于薄膜制造的一种工艺，所淀积的薄膜可以是导体、绝缘材料或者半导体材料。比如二氧化硅（SiO2）、氮化硅（Si3N4）、多晶硅以及金属（Cu、W）. 固态薄膜 薄膜特性 好的台阶覆盖能力 填充高的深宽比间隙的能力 好的厚度均匀性 高纯度和高密度 受控制的化学剂量 高度的结构完整性和低的膜应力 好的电学特性 对衬底材料或下层膜好的黏附性 膜对台阶的覆盖 我们期望膜在硅片表面上厚度一致，但由于硅片表面台阶的存在，如果淀积的膜在台阶上过渡的变薄，就容易导致高的膜应力、电短路或在器件中产生不希望的诱生电荷。应力还可能导致衬底发生凸起或凹陷的变形。 高的深宽比间隙可以用深宽比来描述一个小间隙（如槽或孔），深宽比定义为间隙的深度和宽度的比值(见下图) 高的深宽比间隙 薄膜生长的步骤 膜淀积技术 化学气相淀积 化学气相淀积（CVD）是通过气体混合的化学反应在硅片表面淀积一层固体膜的工艺。硅片表面及其邻近的区域被加热来向反应系统提供附加的能量。包括以下特点： 1. 产生化学变化，这可以通过化学反应或热分解； 2. 膜中所有的材料物质都源于外部的源； 3. 化学气相淀积工艺中的反应物必须以气相形式参加反应。 化学气相淀积的设备 CVD 化学过程 高温分解： 通常在无氧的条件下，通过加热化 合物分解（化学键断裂）； 2. 光分解： 利用辐射使化合物的化学键断裂分解； 3. 还原反应： 反应物分子和氢发生的反应； 4. 氧化反应： 反应物原子或分子和氧发生的反应； 氧化还原反应： 反应3与4地组合，反应后形成两 种新的化合物。 例如，用硅烷和氧气通过氧化反应淀积SiO2膜。反应生成物SiO2淀积在硅片表面，副产物事是氢。 SiH4 + O2 SiO2 + 2H2 CVD 反应 CVD 反应步骤 基本的化学气相淀积反应包含8个主要步骤，以解释反应的机制。 1）气体传输至淀积区域； 2）膜先驱物的形成； 3）膜先驱物附着在硅片表面； 4）膜先驱物黏附； 5）膜先驱物扩散； 6）表面反应； 7）副产物从表面移除； 8）副产物从反应腔移除。 CVD 传输和反应步骤图 在化学气相淀积中，气体先驱物传输到硅片表面进行吸附作用和反应。列入下面的三个反应。反应1）显示硅烷首先分解成SiH2先驱物。 SiH2先驱物再和硅烷反应形成Si2H6。在中间CVD反应中， SiH2随着Si2H6被吸附在硅片表面。然后Si2H6分解形成最终需要的固态硅膜。 SiH4(气态) SiH2(气态) + H2(气态) （高温分解） SiH4(气态) + SiH2(气态) Si2H6(气态) （反应半成品形成） Si2H6(气态) 2Si (固态) + 3H2(气态) （最终产品形成） 以上实例是硅气相外延的一个反应过程 速度限制阶段 在实际大批量生产中，CVD反应的时间长短很重要。温度升高会促使表面反应速度增加。基于CVD反应的有序性，最慢的反应阶段会成为整个工艺的瓶颈。换言之，反应速度最慢的阶段将决定整个淀积过程的速度。 CVD的反应速度取决于质量传输和表面反应两个因素。在质量传输阶段淀积工艺对温度不敏感，这意味着无论温度如何，传输到硅片表面加