近代物理测试技术教程详解.ppt

近代物理测试技术 制作人：高强 §1 正电子湮没技术与穆斯堡尔谱 正电子湮没技术 正电子是电子的反粒子，其基本属性与电子对称。 正电子湮没实验中所用的正电子一般来自放射性同位素的β+衰变，而最常用的β+源是放射性同位素22Na。 正电子从射入固体开始到湮没位置所经历的时间称为正电子的寿命。 如果固体中存在空位、位错或空洞等缺陷，由于缺陷对正电子的捕获作用，正电子将局域在缺陷附近湮没。而缺陷附近的平均电子密度一般较低，故正电子寿命变长。 例如，正电子在Al 单孔位中湮没寿命为205ps,而在完整的Al晶体中寿命为167ps，约增大23%。 利用这一缺陷捕获效应，可追踪样品形变、退火回复等过程中缺陷的发展与变化。 由于在缺陷部位与正电子相复合的电子平均动量较小，使湮没时发出的 射线以511keV为中心的多普勒展宽变窄（图10.2） 用适当的参数描述谱线形状的变化，同样可获取有关缺陷捕获效应的信息。此即多普勒增宽测量。 图10.3所示为经电子和中子辐照的钼在退火过程中正电子寿命随退火温度的变化。 随退火温度的升高而连续增大，表明了空位的聚团。 图10.4所示为电子幅照纯钼和掺杂有200ppm氮的钼在退火过程中捕获态正电子寿命和强度随退火温度的变化。 与纯钼相比，掺杂的钼空位迁移温度明显移后，且最大寿命变大，显示了杂质对空位团形成过程的影响。 穆斯堡尔谱 1961年，年轻的物理学