第四章硅片教程方案.pptVIP

* 在200mm及以上的硅片上，定位边已被定位槽所取代。 具有定位槽的硅片在硅片上的一小片区域有激光刻上的有关硅片的信息。 对于300mm硅片来讲，激光刻印于硅片背面靠近边缘的没有利用到的区域。 硅片的标记（II） 1234567890 Notch Scribed identification number * 硅片质量的测量 物理尺寸 平整度 氧含量 晶体缺陷 颗粒 体电阻率 Positive deviation Negative deviation Vacuum chuck Wafer Reference plane * 薄层电阻（方块电阻） Rs：方块电阻，单位欧姆/? * 硅片电阻的测量 “Four-point probe” measurement method. The outer two probes force a current through the sample; the inner two probes measure the voltage drop. * * 300mm wafer 硅片照片 * SOI基片(silicon on insulator,绝缘体上硅) a)薄的单晶硅顶层，在其上形成蚀刻电路　 b)相当薄的绝缘二氧化硅中间层　 c)非常厚的体型衬底硅衬底层，其主要作用是为上面的两层提供机械支撑。 基于SOI