第三节在位错上的力及位错的运动作用在.ppt

应力场分析模型都采用弹性连续介质模型，即： 假设晶体是完全弹性体，服从虎克定律(σ=Eε，τ=Gγ)； 假设晶体是各向同性的，E、ν不随方向而变； 近似认为晶体内部由连续介质组成，应力、应变、位移等是连续的。 该模型未考虑到位错线附近的严重点阵畸变区的情况，导出的结果不能应用于中心区。 在中心区以外适用，已为实验证实。 刃型位错应力场的特点 1）同时存在正应力分量和切应力分量； 2）应力场中任意一点位置 ； 3）y0时(滑移面以上区域)， (压应力)； y0时(滑移面以下区域)， (拉应力)； y=0时(即在滑移面上)， ，即滑移面上没有正应力，只有切应力，且为最大值。 4）各应力分量值与Z值无关，即： 与刃位错线平行的直线上各点应力 状态相同。r越大，即离位错中心越 远，各分量值越小。 应力场分布见图： 该公式也不能用于位错中心区。 第三节 作用在位错上的力及位错的运动 一、作用在位错上的力 实际：位错在外加切应力或其他内应力的作用下发生运动或有运动的趋势。 假设：位错上作用了一个力F，驱使位错运动，则F必垂直于位错线。 外加切应力为τ，位错长度为L，柏氏矢量为b，移动距离为ds，已滑移区面积Lds，作用在该区域上的外力为τLds，该区域的滑移量为b，则滑移消耗的功为：W1=τLdsb 力F使位错线移动ds所做的功为 ：W2=Fds ∵W1=W2，即：Fds=τLdsb 故有 F=τLb 作用于单位长度位错线的力则为： f =τb 此式表明： f 的大小 与τ和b 成正比。 同一位错线上各点b相同，只要切应力均匀地作用在晶体上，则位错线上各处 f 力的大小也相同。 f 力的方向：垂直于位错线，指向滑移面的未滑移区。 刃位错： f 力与外加切应力τ的方向一致。 螺位错： f 力与外加切应力τ的方向垂直。 说明：力f 并不是τ的分力，τ是位错附近原子实际受到的力，与b 的方向一致； f 只是作用在位错上的假想力，为组态力，不代表原子实际所受的力，也区别于作用在晶体上的力。 任意形状位错： f 力的大小仍为τb ，方向为位错线上各点的法线方向。 τ τ 二、位错的运动 位错运动的两种基本形式——滑移和攀移。 滑移：位错线沿着滑移面的运动。 攀移：位错沿着垂直于滑移面的方向运动。 刃型位错：既可滑移，也可攀移； 螺型位错：只能滑移，不可攀移。 1、位错的滑移 1）刃型位错的滑移 原子的移动： 在外加切应力作用下，位错中心附近的原子沿切应力方向作少量移动(1个原子间距)，就可使位错线在滑移面上向右移动1个原子间距。 故位错滑移只需很小的切应力。 刃型位错滑移时原子的移动 在相同的切应力作用下，负刃位错的移动方向与正刃位错相反。但造成的晶体滑移的结果相同。 刃型位错线的移动： 滑移方向：垂直于位错线，但平行于b； 滑移面：位错线与b构成的平面，是一个确定的平面。 滑移结果：产生一个宽度为b的台阶。 2）螺型位错的滑移 原子的移动： ：为滑移面以上原子。 ：为滑移面以下原子。 b)图中，虚线：点阵原始位置；实线：位错滑移一个原子间距后的状态。 切应力作用下，位错周围的原子沿切应力方向移动一个微小距离，位错线向左移动了一个原子间距。 τ b 螺型位错线的运动 滑移方向：垂直于位错线，也与b垂直； 滑移面：位错线与b构成的平面，位错线与b平行，可以有多个。 滑移结果：产生一个宽度为b的台阶。 3）混合型位错的滑移 在相同的切应力作用下： 正、负刃型位错线的运动方向相反； 左、右螺型位错线的运动方向相反。 位错环： 滑移方向：也垂直于位错线，沿外法线方向向外扩展，而与b成任意角度； 滑移结果：产生一个宽度为b的台阶。 2、位错的攀移 正攀移：多余半原子面向上移动。需失去最下面的一排原子。 实现方式：空位扩散到半原子面的下端，或半原子面下端的原子扩散到别处。 负攀移：多余半原子面向下移动。 实现方式：空位扩散到别处，或原子扩散到半原子面的下端。 攀移的特点 位错攀移伴随物质的迁移，需要扩散才能实现。 (1)位错攀移时，需要热激活，所需能量较滑移大； (2)低温时攀移较困难，高温下易实现； (3)过饱和空位有利于攀移，经淬火或冷加工的金属加热时，位错的攀移起重要作用； (4)作用于半原子面的压应力能促进正攀移，拉应力能促进负攀移，切应力不起作用。 第四节 位错的应力