硅集成电路工艺——工艺集成分析.pptVIP

Chap.10 工艺集成 工艺集成： ——运用各类工艺形成电路结构的制造过程 CMOS集成电路的工艺集成 双极型集成电路的工艺集成 BiCMOS集成电路的工艺集成 §10.1 集成电路中的隔离 一. MOS集成电路中的隔离 局部场氧化工艺（Local oxidation of silicon，LOCOS） 改进的LOCOS工艺 浅槽隔离（Shallow trench isolation ，STI） LOCOS工艺流程 LOCOS工艺的缺点 1. 鸟嘴的形成（Bird’s beak） 由于氧的横向扩散，硅的氧化反应是各向同性的 氧化物在氮化硅下面的生长形成鸟嘴 浪费硅片的有效面积 2. 厚的氧化层造成表面凹凸不平，加重台阶覆盖问题 改进的LOCOS工艺 回刻的LOCOS工艺 侧墙掩蔽的隔离工艺 多晶硅缓冲层的LOCOS工艺（PBL） 浅槽隔离（STI） STL 不会产生鸟嘴 更平坦的表面 更多的工艺步骤 LOCOS 工艺相对简单，便宜，高产率 当特征尺寸 0.35 um不再适用 STI工艺流程 STI工艺流程 SOI技术介质隔离 绝缘体上外延硅结合STI技术 横向和纵向的完全隔离 工艺较复杂 二.双极型电路中的隔离 pn结隔离：（形成工作区－光刻出隔离区－离子注入与工作区反型的杂质形成pn结），工艺简单 缺点：隔离区较宽，降低集成度 ；