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半导体二极管参数符号 CT-势垒电容 Cj-结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容 Cjv-偏压结电容 Co-零偏压电容 Cjo-零偏压结电容 Cjo/Cjn-结电容变化 Cs-管壳电容或封装电容 Ct-总电容 CTV-电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 CTC-电容温度系数 Cvn-标称电容 IF-正向直流电流（正向测试电流）。 锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流 IF（AV）-正向平均电流 IFM（IM）-正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。 IH-恒定电流、维持电流。 Ii-发光二极管起辉电流 IFRM-正向重复峰值电流 IFSM-正向不重复峰值电流（浪涌电流） Io-整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 IF(ov)-正向过载电流 IL-光电流或稳流二极管极限电流 ID-暗电流 IB2-单结晶体管中的基极调制电流 IEM-发射极峰值电流 IEB10-双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流 IEB20-双基极单结晶体管中发射极向电流 ICM-最大输出平均电流 IFMP-正向脉冲电流 IP-峰点电流 IV-谷点电流 IGT-晶闸管控制极触发电流 IGD-晶闸管控制极不触发电流 IGFM-控制极正向峰值电流 IR（AV）-反向平均电流 IR（In）-反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电 流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。 IRM-反向峰值电流 IRR-晶闸管反向重复平均电流 IDR-晶闸管断态平均重复电流 IRRM-反向重复峰值电流 IRSM-反向不重复峰值电流（反向浪涌电流） Irp-反向恢复电流 Iz-稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流 Izk-稳压管膝点电流 IOM-最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流 IZSM-稳压二极管浪涌电流 IZM-最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流 iF-正向总瞬时电流 iR-反向总瞬时电流 ir-反向恢复电流 Iop-工作电流 Is-稳流二极管稳定电流 f-频率 n-电容变化指数；电容比 Q-优值（品质因素） δvz-稳压管电压漂移 di/dt-通态电流临界上升率 dv/dt-通态电压临界上升率 PB-承受脉冲烧毁功率 PFT（AV）-正向导通平均耗散功率 PFTM-正向峰值耗散功率 PFT-正向导通总瞬时耗散功率 Pd-耗散功率 PG-门极平均功率 PGM-门极峰值功率 PC-控制极平均功率或集电极耗散功率 Pi-输入功率 PK-最大开关功率 PM-额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率 PMP-最大漏过脉冲功率 PMS-最大承受脉冲功率 Po-输出功率 PR-反向浪涌功率 Ptot-总耗散功率 Pomax-最大输出功率 Psc-连续输出功率 PSM-不重复浪涌功率 PZM-最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率 RF（r）-正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量V，正向电流相应增加I，则V/△I称微分电阻 RBB-双基极晶体管的基极间电阻 RE-射频电阻 RL-负载电阻 Rs(rs)-串联电阻 Rth-热阻 R(th)ja-结到环境的热阻 Rz(ru)-动态电阻 R(th)jc-结到壳的热阻 rδ-衰减电阻 r(th)-瞬态电阻 Ta-环境温度 Tc-壳温 td-延迟时间 tf-下降时间 tfr-正向恢复时间 tg-电路换向关断时间 tgt-门极控制极开通时间 Tj-结温 Tjm-最高结温 ton-开通时间 toff-关断时间 tr-上升时间 trr-反向恢复时间 ts-存储时间 tstg-温度补偿二极管的贮成温度 a-温度系数 λp-发光峰值波长 λ-光谱半宽度 η-单结晶体管分压比或