实验三晶体管放大电路设计实用技术.docxVIP

实验三晶体管放大电路设计实用技术.docx

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设计课题:单级阻容耦合晶体管放大器设计 一:实验目的 1学会安装OrCAD软件,了解并熟悉使用OrCAD PSpice软件系统。 2.学会在Capture中创建电路并运行出指定分析类型及仿真类型。 3.掌握运行仿真结果的方法,并学会分析数据及图形。 4.了解电路一些基本原件的使用方法 二:实验要求 1.已知条件:+Vcc=+12V,RL=2kΩ,Vi=10mv,Rs=50Ω. 2.性能指标要求:Av30,Ri2kΩ,Ro3kΩ,fL30Hz,fH500kHz,电路稳定性能好. 三:实验步骤 实验电路及其参数设计 由于实验要求fL很低,而对于放大倍数要求不高,可采用电流串联负反馈放大器.电路如下: 参数计算: 实验表明,Rf取几十欧姆可以明显地提高放大器的输入阻抗,降低放大器的下限频率.可以取Rf=20 已知Vi=10mV,要求Ri2KΩ,所以输入的基极电流的最大值为 ibm=2ViRi 2×10mV1kΩ =7uA 根据ibm的值,可以确定iBQ.通常三极管输入特性下面部分弯曲的厉害,为了避免产生失真,取iBQ=20uA, iCQ=βibm=2mA. 根据经验 VBQ=3-5V(硅管),取VBQ=4V, RE≈4-0.72=1.65kΩ,取标称值1.6k. 由RB2=VBQ(5-10)ICQβ=20-40k欧姆,取39kΩ 由 RB1和 RB2分压可得RB1=78k欧姆. rbe=200Ω+(1+β) 26(mV)IcQ(mA)=1.513kΩ,由(Rc//RL)=Av×(rbe+(1+β)RFβ=1.06kΩ得Rc=2.25kΩ, 因为要求Av30,又考虑到Rc的值还要受到Ro的限制,一般Rc取得比Ro稍微小一些.Ro3kΩ,所以取Rc=2.7kΩ 由 CB=Cc≥(3~10)12πfL(Rs+rbe)=10.187~33.9uF,取15uF CE≥(1~3)12πfL(RE//Rs+rbe1+β) =347~1040,取470uF. 输入信号为有效值10mv,1KHz的正弦波, 画电路,测试并检验: 静态工作点 输入曲线 输出曲线 Av 幅频响应 相频响应 输入阻抗 输出阻抗测试电路 输出阻抗幅频响应曲线 误差分析  = 1 \* GB2 ⑴电压增益 理论计算值 QUOTE AV Av=32.5,实测值 QUOTE AV Av=31.9,相对误差为1.8%。  = 2 \* GB2 ⑵输入电阻 理论值Ri≈3.09kΩ,实测值为2.74KΩ,相对误差为11.3%。  = 3 \* GB2 ⑶输出电阻 由仿真图得理论值Ro≈2.70KΩ,实测值为2.63 KΩ,相对误差为2.5%。 误差产生的原因 推导公式中为约等于,存在一定误差. 软件本身模型精度等各方面原因. 测试动态性能指标,将下面两个表格的数据记录下来. 表格  SEQ 表格 \* ARABIC 1 放大器的测量数据表 静态工作点VBQ/VVCQ/VVEQ/vβICQ/mAIBQ/uAVCEQ/V3.34Av=VoVi = 32.0 7.3752.7441001.71320.54.6电压增益(f=1kHz) ViVo输入电阻Ri(测试电阻R= )ViRi=ViVs-ViR =27.4kΩ VsRo=VoVoL-1RL = 输出电阻Ro(负载电阻RL=2kΩ)VoVoL 输入Vipp=28mAFi/Hz…2030401001k10k100k500k1M…VoppAv26.529.230.331.632.032.032.032.032.020lgAv28.529.329.630.030.130.130.130.130.1通频带 fL= 13.8 fH= 26.9M 四:实验思考: 1.测量放大器静态工作点时,如果测得VCEQ0.5V,说明三极管处于什么工作状态?如果 VCQ≈VCC,三极管又处于什么工作状态? 答:说明处于饱和状态;击穿状态. 2.加入信号Vi时,输出波形???能会出现哪几种失真,分别是什么原因引起的? 答:可能会出现截止和饱和失真.截止失真是因为发射结没有达到开启电压,三极管没有放大作用..饱和失真由于集电极的电位低于基极电位,此时三极管失去放大作用.

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