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第六章 半导体界面及接触现象－pn结 半 — 半接触 一、p-n结的形成和杂质分布 当电流由P区欧姆接触进入时，几乎全部为空穴的漂移电流；空穴在外电场作用下向电源负极漂移； 由于少子浓度远小于多子浓度可以认为这个电流完全由多子空穴携带。 空穴沿x方向进入电子扩散区以后，一部分与N区注入进来的电子不断地复合，其携带的电流转化为电子扩散电流； 另一部分未被复合的空穴继续沿x方向漂移，到达-xp的空穴电流，通过势垒区； 若忽略势垒区中的载流子产生-复合，则可看成它全部到达了xn处，然后以扩散运动继续向前，在N区中的空穴扩散区内形成空穴扩散流； 在扩散过程中，空穴还与N区漂移过来的电子不断地复合，使空穴扩散电流不断地转化为电子漂移电流； 直到空穴扩散区以外，空穴扩散电流全部转化为电子漂移电流。忽略了少子漂移电流后，电子电流便构成了流出N区欧姆接触的正向电流。 x 处的电子浓度 x 处的空穴浓度 设V(xn)=VD, 则 V(xp)=0, 则 结区边界处 势垒区又叫耗尽层 其中载流子浓度很小 平衡pn结中 载流子分布 np0 nn0 pp0 pn0 n n? p p? n(x) 三、非平衡p-n结 1．正偏p-n结的能带(P+,N-) P N Ε内 + － qVD q(VD－V) 正向偏压时pn结 势垒的变化 ?外加正偏压基 本落在势垒区 ?势垒区宽度?