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集成电路中金属硅化物的发展与演变 作者：方志军，汤继跃，许志，应用材料（中国）公司???2008-09-02???点击:296 　　金属硅化物在VLSI/ULSI器件技术中起着非常重要的作用，被广泛应用于源漏极和硅栅极与金属之间的接触。其中自对准硅化物（self-aligned silicide）工艺已经成为近期的超高速CMOS逻辑大规模集成电路的关键制造工艺之一。它给高性能逻辑器件的制造提供了诸多好处。该工艺减小了源/漏电极和栅电极的薄膜电阻，降低了接触电阻，并缩短了与栅相关的RC延迟。另外，它采用自对准工艺，无须增加光刻和刻蚀步骤，因此允许通过增加电路封装密度来提高器件集成度。　　现在，金属硅化物的制备通常采用快速热处理工艺。快速热退火已经被证明在减少硅化物形成中的总热预算方面优于传统的加热炉技术。 　　钛硅化物TiSi2　　钛硅化物TiSi2因具有工艺简单、高温稳定性好等优点，被最早广泛应用于0.25微米以上MOS技术。其工艺是首先采用诸如物理溅射等方法将Ti金属沉积在晶片上，然后经过稍低温度的第一次退火（600～700），得到高阻的中间相C49，然后再经过温度稍高的第二次退火（800～900）使C49相转变成最终需要的低阻C54相。　　对于钛硅化物而言，最大的挑战在TiSi2的线宽效应。即TiS i2电阻会随着线宽或接触面积的减小而增加。原因是当线宽变得过窄时，