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施敏院士北京交通大学讲学 ——《半导体器件物理》 施敏 S.M.SZE,男，美国籍，1936年出生。台湾交通大学电子工程学系毫微米元件实验室教授，美国工程院院士，台湾中研院院士，中国工程院外籍院士，三次获诺贝尔奖提名。 学历：美国史坦福大学电机系博士（1963），美国华盛顿大学电机系硕士（1960），台湾大学电机系学士（1957）。 经历：美国贝尔实验室研究（1963-1989），交通大学电子工程系教授（1990-），交通大学电子与资讯研究中心主任（1990-1996），国科会国家毫微米元件实验室主任（1998-），中山学术奖（1969），IEEE J.J.EBERS奖（1993），美国国家工程院院士（1995）, 中国工程院外籍院士 (1998)。 成就： 施敏院士是国际知名的微电子科学技术与半导体器件专家和教育家。他是非挥发MOS场效应记忆晶体管（MOSFET）的发明者，这项发明已成为世界集成电路产业主导产品之一，90年代初其产值已达100亿美元。尤为重要的是他发明的非易失性电可擦除只读存储器和闪存技术，这些技术是手机、便携式计算机、数码相机以及全球定位系统等现代数字产品的核心。此外，他还有多项创造性成果，如80年代初首先以电子束制造出线宽为0.15μm MOSFET器件，首先发现崩溃电