电子元器件工艺导论第二章2007文稿.pptVIP

§2. 薄厚膜混合集成电路(HIC) §2.1 绪论 §2.1.1 微电子技术： 定义１：将电子产品微小型化的技术 其核心产品是集成电路． 微电子：集成电路 微电子技术：制造集成电路的微加工技术 微电子学：研究这门技术的科学 定义２：微电子学就是信息电子学 电子学：研究电子运动规律的科学 电力电子学： 　 研究用于强电流和高电压的电动控制的电子的运动规律的科学． 信息电子学: 研究用于信息处理的电子的运动规律的科学. §2.1.2 集成电路(IC) IC (Integrated Circuit) －将组成电路的元器件及其连线用某种工艺制作在同一基片(衬底)上，形成具有一定电路功能的微型电路. 一．集成电路的分类 按制作工艺分: 1.半导体集成电路(基片：半导体) 即:单片集成电路(固体电路) 工艺:半导体工艺(扩散、氧化、外延等) 2. 膜集成电路(基片：玻璃、陶瓷等绝缘体) 工艺：薄膜集成电路 真空蒸镀 溅射 化学气相沉积技术 厚膜集成电路 浆料喷涂在基片上 　经烧结而成(丝网印刷技术) 3. 混合集成电路(Hybrid Integrated Circuit) 特点： 　　　充分利用半导体集成电路和膜集成电路各自的优点，达到优势互补的目的． 　 工艺： 　　　用膜工艺制作无源元件，用半导体IC或晶体管制作有源器件．　 §2.1.3 集成电路的集成度与摩尔定律 集成度： 　　　每块集成电路芯片上所能集成的元器件的个数叫做集成度． 　摩尔定律 　集成电路芯片的集成度每三年翻二番 　 　分类：　 　　SSI (small scale IC) 　　　　　　　　元器件个数≤10２ MSI (Middle scale IC)　 　　　　　　　　元器件个数≤10３ LSI (Large scale IC)　 　　　　　　　　元器件个数≤10４ VLSI (Very large scale IC)　 　　　　　　　　元器件个数≤10５ §2.1.4 集成电路的比较 　　　 　　　　 　　　　 注意：膜集成电路和半导体集成电路中的元件的参数范围：P104表5-2 §2.2 HIC材料基础 §2.2.1 基片材料 一. 何谓基片---- 在HIC中,承载膜式元件及其互连线,支持各种外贴元器件并起包封作用、在大功率电路中还起散热作用的绝缘体叫作基片 　 　 二. 基片材料及其性能比较 １．单晶基片 α－Al2O3，MgO，SiO2 性能最佳，但制造成本极高． ２．多晶陶瓷基片 Al2O3, BeO, AlN 导热、机械性能好，但表面光洁度差 被釉可改善光洁度，但导热率、高频性能及附着力下降 　 3．无定型玻璃基片(非晶) 无碱玻璃和碱土玻璃 　　成本低，表面光洁度好， 但导热性和机械强度差 ４．玻璃陶瓷基片 　　总性能和结晶状态介于玻璃与陶瓷之间， 又称为微晶玻璃 　　表面光洁度、机械强度较好，但导热性差 　 二.对基片材料的要求 １．良好的表面光洁度(适当) 　　过高：厚膜元件对基体的附着力下降 　　过低：增加电阻噪声 　　对薄膜HIC，光洁度要求高些 ２．化学稳定性好 两个方面含义: 　　 使用过程中不发生变化 制造电路的过程中不发生变化 　　　例如：金属化中使用的还原剂甲醛对氧化铝有腐蚀 ３．表面电阻与体积电阻要高(保证元件之间的绝缘) ４．机械强度高 ５．热膨胀系数尽可能接近膜层的热膨胀系数 ６．导热性好 ７．成本低 §2.2.２　薄膜材料 一．薄膜导体 １．功能：连接电阻器的端头 　　　　　电容器的上、下电极 连接线(膜式元件互连，外贴元器件连接) 　　　　　高频电感器、微带线和接地线 2．要求： A.良好的导电性 B.与基片、介质和电阻材料的附着好 C.能承受较大的电流密度，而不出现明显的电迁移 D.与N型或P型硅材料以及和薄膜材料的端头能形成良好的欧姆接触 E.可以电镀加厚 F.能经受高温处理 G.原料成本低,制造工艺简单、经济