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東京都立大学理学部物理学科　春名　毅 解析途中経過報告 東京都立大学理学部物理学科 高エネルギー実験研究室 卒研生　春名　毅 目次 バックグラウンドの計算 Ｓスキャンからバックグラウンドを引く 陽電子生成量とＳスキャンの関係グラフ まとめ バックグラウンドの計算 Ｘスキャンにおけるターゲットにビームが当たっていないところを取り出して平均。 解析は『ROOT Version4.00』で行った。 Xスキャンの範囲を手作業で選定した。 プログラムの説明 if(runN149){ if( (-18=angle angle=-10)||(10=angle angle=18) ){adc2～5までの足し合わせ} if(runN=149){ if( (-16=angle angle=-12)||(15=angle angle=18) ){adc2～5までの足し合わせ} Run50(Xスキャン) プログラムの説明 if(runN149){ if( (-18=angle angle=-10)||(10=angle angle=18) ){adc2～5までの足し合わせ} if(runN=149){ if( (-16=angle angle=-12)||(15=angle angle=18) ){adc2～5までの足し合わせ} Run157(Xスキャン) 当然のことながら??? 足し合わせた後に、ADCそれぞれの平均値、及びErrorを計算。 Runによって、ターゲットの大きさや場所が違うので、その点に留意してプログラムを組んだ。 Ｓスキャンからバックグラウンドデータを引く まず、どのRunにどのバックグラウンドデータが当てはまるのかを調べた。 右のデータから自動的にバックグラウンドのランナンバーを探す様にヘッダーファイル『RunDB.h』を浜津さんに書き換えてもらった。 ビンの決定の仕方 Amorphousの厚みが違うところは除外しなくてはならない。 Startが-49.8で、そこからOffset地点までビンをとり、その後は3?12?3?12…という風にビンを決定して平均値、及びErrorを計算した。 3はビームの幅でこれを除外していく。 SスキャンBINサイズの設定法 例：Run92（ADC2) Yield v.s. Amorphous Thickness （ADC2,ADC4) 陽電子の運動量、10MeVと20MeVにおける生成量の厚さ依存性の違いを解析した。 HVは全てのRunにおいて、運動量毎に同じであったので、HVは無視して解析を行った。 ADC2 ADC4 Average of ADC2 Average of ADC4 まとめ Run92は、他のRunとは違う振る舞いをしている。?平均値を計算する時は除外した。 10MeVと20MeVが途中でCrossoverする。 これからもWebページを随時更新していきます。 * * 東京都立大学理学部物理学科 東京都立大学理学部物理学科　春名　毅 161 160 157 158 147 148 142 143 130 131 125 126 93 92 80 82 50 49 Xスキャン Sスキャン Float_t Offset = -46.8; if( runN 131 ) Offset = -44.8; Float_t Gap = 3.0; Float_t Width = 12.0; Int_t NvBins = 13; Float_t Bins[14]; Bins[0] = Start; Bins[1] = Offset; Bins[NvBins] = Stop; for( Int_t s=2; sNvBins; s += 2 ) { Bins[s] = Bins[s-1] + Gap; if( s (NvBins-1) ) Bins[s+1] = Bins[s] + Width; } 緑線がバックグラウンドを引いた後のデータ。 厚さ0ｍｍのところでADCの値はほぼ0となった。 442V 568V ADC4のHV 610V 741V ADC2のHV 20MeV 10MeV 　 * * * * *