晶硅电池片制造工艺解析.ppt

扩散 多晶扩散的步骤： 插片 进舟 回温氧化 预沉积 升温 沉积 推结 出舟 降温 卸片外观检查测试方阻 扩散 插片 用吸笔依次将硅片从花篮中取出，插入石英舟； 在扩散前禁止用手直接接触硅片，防止金属离子污染 ； 移动石英舟必须使用石英舟叉。 进舟 将装满硅片的石英舟放在碳化硅浆上，启动程序，石英舟缓缓推入扩散炉腔；碳化硅浆退出，关闭炉门；通大氮，升温。 回温氧化 打开O2阀门，通O2 工艺步骤介绍： 预沉积 通小N2、o2 ,小N2携三氯氧磷源进入炉管内，三氯氧磷高温分解， 开始进行第一次低温扩散过程。 升温、沉积 升高温度，进行第二次高温扩散。 推结 关闭小氮和继续通氧，扩散过程逐渐停止。 降温、出舟 继续通大氮，开始降温；当石英舟缓缓退管内，炉门关闭，机械手动作将石英舟放到冷却区，待降温一定时间后下舟，用舟叉从舟托架上取下石英舟；放上插好硅片的石英舟，进行下一轮 扩散 扩散工序的SPC管控及质量要求： ⒈ 方阻的大小和均匀性（片内极差） 多晶：80±3Ω/□ 单晶：65±3Ω/□ 片内极差小于17 方阻偏大或偏小，需返工，工艺为：二次清洗制绒→扩散或后清洗→扩散 2. 工艺能力过程控制： Cp（工艺精密度）、工艺准确度、 K(工艺准确度)、 Cpk(工艺能力） 3. 硅片外观 检查硅片表面颜色是否均匀、异常，出现蓝色、脏污、黑点、线痕台阶为不合格，主要蓝色、脏污、黑点片，可集中进行返工。 扩散 　 中 心 方 阻 标准差σ 2.008389565 平 均 方 阻 标准差σ 1.994380285 　 　 Cp 0Cp 0.835681479 　 　 　 工序 扩散 特性 方阻 USL 83 UCLx 77.5 UCLR 17 样本容量 5ea/bath k 0.093459119 k 0.722458113 　 　 设备编号 CT 　 80 LSL 77 LCLx 67.5 R-bar 12 　 　 　 　 CpK 0.451377012 CpK 0.231936614 　 　 Date 8月16日 8月16日 8月16日 8月16日 8月16日 Time 8:58 13:55 15:34 17:10 18:16 LotNo. 1208158332 1208163048 1208163073 1208163083 1208163215 Position LZ CLZ CZ CGZ GZ LZ CLZ CZ CGZ GZ LZ CLZ CZ CGZ GZ LZ CLZ CZ CGZ GZ LZ CLZ CZ CGZ GZ 1 80.5 78.6 82.1 77.5 78.7 78.8 77.5 82.9 77.6 82.4 82.1 79.2 81.1 77.5 82.4 83 77.7 82.9 78.5 80.3 79.2 80 82 81.2 79 2 71.5 68.6 70.9 71 71 65.6 67.2 70.3 69.3 73.4 71.3 65.9 70.5 69 71.4 69.7 67.7 73.2 69.4 70.6 70.1 77.2 68.5 75.2 70 3 65 69.2 65.7 69 68 72.1 76.2 74.1 72.6 76.4 77.8 67 66.8 70.4 70.8 73 66.6 75.9 73.7 74.5 70.3 73.2 68.2 72.1 72 4 68.5 63 71 66.7 62 68.2 70.1 71 69..3 71.8 69.2 63.8 66.7 70.1 70.3 67.7 67 69.6 69.6 72.6 68.2 69 70 70 73.2 5 67.3 66.4 70.5 73 75.1 65.6 69.8 70.1 67.9 77.9 67.8 62.3 72.4 68.2 74 66 66 69.2 68.6 72.6 74 70 72 68.7 69.5 X 70.6 69.2 72.0 71.4 71.0 70.1 72.2 73.7 71.9 76.4 73.6 67.6 71.5 71.0 73.8 71.9 69.0 74.2 72.0 74.1 72.4 73.9 72.1 73.4 72.7 R 15.5 15.6 16.4 10.8 16.7 13.2 10.3 12.8 9.7 10.6 14.3 16.9 14.4 9.3 12.1 17.