集成电路工艺1解析.ppt

集成电路工艺 信息学院 电子科学与技术 参考书： C.Y. Chang, S.M. Sze, “ULSI Technology” 王阳元 等,“集成电路工艺原理” M. Quirk, J. Serda, “半导体制造技术” 成绩计算： 平时成绩（出勤、作业、小测验）20％＋期终考试80％ 请假需有辅导员签名！补交作业，抄袭, 扣分！！ 本门课程共分几大块来介绍： 一、绪论 主要介绍微电子器件工艺的发展历史，集成电路的发展历史及工艺实例。 二、硅的晶体结构 主要介绍硅晶体的特点，晶向，晶面，缺陷，杂质等等。 三、热处理及离子注入 氧化，扩散，离子注入工艺 四、薄膜工艺 物理气相淀积，化学气相淀积，外延工艺 五、图形转移工艺 光刻与刻蚀 六、工艺集成 金属化与多层互连，工艺集成 七、后工艺，测试 减薄，蒸金，划片，烧结，键合，封装，测试 集成电路工艺分几大块技术： 图形转移：将设计在掩膜版(类似于照相底片)上的图形转移到半导体单晶片上 光刻：接触光刻、接近光刻、投影光刻、电子束光刻等 刻蚀：干法刻蚀、湿法刻蚀 掺杂：根据设计的需要，将适量的各种杂质掺杂在需要的位置上，形成晶体管、 接触等 离子注入： 退火 扩散： 制膜：制作各种材料的薄膜 氧化：干氧氧化、湿