无机合成化学5解析.ppt

⑷ 增强反应沉积 等离子增强反应沉积是由于等离子体中正离子、电子和中性反应分子相互碰撞，可以大大降低沉积温度。硅烷和氨气反应通常在约850℃反应并沉积氮化硅，但在等离子体增强反应情况下，只需要约350℃左右就可以生成氮化硅。 通常要在300℃左右的底衬表面上发生的反应，采用激光束平行射于衬底表面后（激光束与衬底表面的距离约1mm），结果处于室温的衬底表面上就会沉积出一层光亮的钨膜: ℃ 李明伟等采用等离子增强热丝CVD技术，以多晶镍为催化剂热解乙炔气得到了碳纳米管阵列。 生长在多晶镍膜上的碳纳米管阵列 5.2.4 装置 ①气源控制部件;②沉积反应室;③沉积温控部件;④真空排气和压强控制部件等部分组成。在等离子增强型或其他能源激活型CVD装置，还需要增加激励能源控制部件。 砷化镓气相外延装置示意图 三氯硅烷氢还原生产半导体超纯硅的工业装置示意图 5.2.5 CVD合成技术的应用 现代科学和技术需要使用大量功能各异的无机新材料，这些功能材料必须是高纯的，或者是在高纯材料中有意地掺入某种杂质形成的掺杂材料。显然，前面所讲的许多制备方法如高温熔炼、水溶液中沉淀和结晶等往往难以满足这些要求，也难以保证得到高纯度的产品。化学气相沉积法已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。