污秽绝缘子闪络机理研究综述分析报告.pptx

1;目录;;绝缘子污秽闪络过程;;直流电弧的伏安特性曲线;交流电弧的下降伏安特性曲线;污秽绝缘子直流闪络机理-------（1）平板模型;?;;(2)能量模型;;计算模型;污秽绝缘子交流闪络机理;?;电场模型;低气压下污秽绝缘子的闪络机理;Ishii 等利用光电测量法对直流电弧的 V-I 特性进行了测试，结果表明，当气压为 101.3 kPa 时，A 的取值范围为 40~50，n=0.83；当气压为 40.0 kPa时，A 的取值范围为 20~35，n=0.77。 张仁豫等对染污绝缘子表面电弧的V?I特性进行了测试，发现常数 A 与绝缘子型式有关[26]，提出交流下A的取值范围为345(P/P0)0.65~376 (P/P0)0.65，n=0.67。 黄超峰在水平放置的三角形平板玻璃模型上测试了直流电弧的V?I特性[27]，提出正极性直流下A= 120(P/P0)0.25，n=0.52；负极性直流下A=148(P/P0)0.25， n=0.52。 李玉等对表面覆冰三角形平板玻璃的电弧 V?I特性进行了测试，结果表明，正极性直流下 A=178(P/P0)0.75，n=0.61；负极性直流下A=103(P/P0)1.14，n=0.69，交流下 A=133(P/P0)0.74，n=0.70。  ; 重庆大学张志劲等针对实际高海拔下污秽绝缘子电弧发展过程中存在的飘弧现象，以及低气压下空气间隙电弧的E-I特性与沿面电弧的E-I特性存在明显差异的问题，在奥本诺斯模型的基础上提出低气压下污闪放电模型。 ;?;西安交通大学的李亚伟等考虑受热浮力的影响，局部电弧在上表面会有飘离表面的趋势，散热条件受表面状况的影响较小；而在下表面，热浮力则会使局部电弧更加贴近表面，造成水分蒸发加剧、散热加快带来局部电弧在湿污绝缘的上、下表面表现出的电弧特性必然存在差异。提出了交流污闪电压双电弧计算模型。如下图所示 ;对目前研究现状的思考