无机材料物理性能7-2分析报告.ppt

对理想晶体：因为无运动阻力，电子迁移率可近似认为无限大。 对实际晶体：既有晶格热振动，又有缺陷，电子运动受阻，迁移率变小。 第一项与杂质浓度无关。第二项与施主杂质浓度 有关，因为 ，故在低温时，上式第二项起主要作用；高温时杂质能级上的有关电子已全部离解激发，温度继续升高时，电导率增加是属于本征电导性（即第一项起主要作用）。本征半导体或高温时的杂质半导体的电导率与温度的关系可简写为： 满带：充满电子的较低能量能带。 导带：未充满电子的较高能量能带，可以起导电作用。 价带：价电子所处能带。 禁带（带隙）：能带之间的间隙，电子不能停留。 费米能级：电子存在几率为1/2的能级；或理解为，0K时电子所占据的最高能级。 1、本征半导体的能带结构，电导原理，载流子浓度计算，电导率计算。 2、n型半导体能带结构，电导原理，载流子浓度计算 3、p型半导体能带结构，电导原理，载流子浓度计算 4、温度对电导率影响 5、杂质和缺陷对电导率影响 * * 无机材料物理性能 第十一讲 电子电导的基本公式： 电子电导 电子电导的载流子是：电子和空穴 电子电导主要发生在导体和半导体中 在电子电导材料中，电子与点阵的非弹性碰撞引起电子波的散射是电子运动受阻的原因之一。 电子迁移率 电子迁移率 经典自由电子模型 在E作用下，电子加速度a为： ? 松驰时间,与晶格缺陷及温度有关 量子力学理论 电子迁移率 m*电子的有效质量 电子迁移率 m*电子的有效质量 自由电子 晶体中的电子 m*决定于电子 与晶格的相互作用强度 电子迁移率 平均自由运动的时间的长短τ是由载流子的散射强弱决定。散射越弱，越长，迁移率也越大。 电子和空穴的有效质量的大小是由半导体材料的性质决定的。 掺杂浓度和温度对迁移率的影响,本质上是对载流子散射强弱的影响。 电子迁移率 散射的两个原因 1、晶格散射 晶格振动引起的散射叫做晶格散射；温度越高，晶格振动越强对载流子的晶格散射也将增强，迁移率降低。 2、电离杂质散射 电离杂质散射 的影响与掺杂浓度有关，掺杂琥多，载流子和电离杂质相遇而被散射 的机会也就越多。温度越高，散射作用越弱。高掺杂时，温度越高，迁移率越小。 载流子浓度 根据能带理论，只有导带中的电子或价带顶的空穴才能参与导电。 金属、半导体和绝缘体的能带结构 半导体和绝缘体的能带结构 载流子浓度 载流子浓度 本征半导体中的载流子浓度 本征半导体的能带结构 载流子浓度 载流子只由半导体晶格本射提供，是由热激发产生的，其浓度与温度呈指数关系。 空带中的电子导电和价带中的空穴导电同时存在，载流子电子和空穴和浓度是相等的。 本征电导 本征半导体 本征半导体中的载流子浓度 本征半导体中，空穴与电子浓度相等，且Fh= 1- Fe，当 (Ef - E) kT 时，有： 本征半导体中的载流子浓度 杂质半导体中的载流子浓度 Ef Ec ED Ev + + Ef Ev Ec EA n型半导体 p型半导体 n型与p型半导体能带结构 杂质半导体中的载流子浓度 杂质对半导体的导电性能影响很大 杂质半导体可分为n型(可提供电子)和p型(吸收电子，造成空穴)。 掺入施主杂质的半导体称为n半导体，掺入受主杂质的半导体称为p半导体。 n型半导体中： 杂质半导体中的载流子浓度 杂质半导体中的载流子浓度 p型半导体中： 电子电导率 本征电导率： n型半导体电导率： 型半导体： 电子电导率 本征半导体和高温时的杂质半导体的电导率与温度的关系为： 电子电导率 电阻率与温度的关系： 电子电导率 实际晶体的导电机构与温度关系如下： (a)中表示在该温度区间具有始终如一的电子跃迁机构； (b)中表示在低温区以杂质电导为主，高温区以本征电导为主； (c)中表示在同一晶体中同时存在两种杂质时的电导特性。 *