影响CVD沉积层质量的因素分析报告.pptxVIP

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2016-11-23 发布于湖北
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影响CVD沉积层质量的因素分析报告.pptx

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影响沉积层质量的因素 ;影响沉积层质量的因素;7.1.1. 反应混合物的供应－－决定材料层质量重要因素之一;反应物分压之间的相互比例;TMA-TMG-DEZn-H2Al0.3Ga0.7As/GaAs（630℃）;气相反应物分压对沉积层纯度的影响例Ga-AsCl3-H2;流速的影响 AsCl3-Ga-N2;7.1.2 沉积温度－主要的工艺条件;衬底温度的影响;沉积温度对沉积物化学组成的影响;衬底温度的影响－自掺杂效应;沉积温度影响;降低沉积温度新体系选择;沉积温度的影响---AsCl3-Ga-N2;沉积温度的影响TMA-TMG=DEZn-H2Al0.3Ga0.7As/GaAs;降低沉积温度;7.1.3 衬底材料的影响;衬底材料的选择;衬底晶面取向;晶面取向对外延层生长的影响;衬底取向对GaAs外延层性能影响;衬底晶面取向Si外延层形貌的影响;衬底表面状况与表面处理;In Situ 气相腐蚀;In Situ 气相腐蚀;7.1.4．系统内总压和气体总流速;气体总流速对材料纯度的影响;图 6-4 未??杂InP外延层载流子浓度与气体流速的关系（In－PCl3－H2系统）;7.1.5 反应系统装置的因素 ;7.1. 6.源材料的纯度 ;7．2 表面形貌和生长动力学 ;外延层表面形貌;周期性键链（PBC）模型;假想的立方晶体模型;表面形貌与生长条件的关系;;;角锥体形成过程模型;凹坑的形成过程模型;（a）微量锌蒸气