直流电源电路电路与模拟电子技术解析.ppt

7.2.2 单相桥式整流电路 ? 输出电压的估算： 桥式整流电容滤波: T RLC t w 若满足： 则： 半波整流电容滤波: 同理，可得： 三、整流二极管导通角 整流电路二极管的导通时间T/2 ，因此，二极管的导通角度小，导致流过二极管的冲击电流大，容易损坏管子。 整流二极管的导通电流 uO 0 ?t ? 2? i 0 ?t 2? ? iD iO ? u D RL u0 + C 半波和桥式整流二极管承受的最高反向电压： 在桥式整流电路与负载间串入一电感L，就构成了电感滤波电路。 1）电路 7.3.2 电感滤波电路 u2 u1 RL L u0 对直流分量( f=0):XL=0 相当于短路,电压大部分降在RL上。对谐波分量: f 越高,XL越大,电压大部分降在XL上。因此,在输出端得到比较平滑的直流电压。 2）滤波原理 整流输出的脉动电压中既含直流分量( f=0) ，也含各次谐波分量（不同频率的交流分量）。 u2 u1 RL L u0 3） 电感滤波的特点: ? 因为电感线圈感应电势的作用，电管滤波电路整流管导电角较大,峰值电流很小,输出特性比较平坦,带负载能力强，适用于低电压大电流(RL较小)的场合。 ?电感铁芯笨重,不但体积大,而且线圈的直流电阻较大，损耗了一定的直流压降，使输出电压减少，而且易引起电磁干扰。 LC滤波电路 电路结构 u2 u1 RL L u0 C 其滤波原理及应用场合与电感滤波相似 7.3.3 电感电容滤波电路 半导体二极管 7.1.3二极管的伏安特性及主要参数 U I 死区电压 硅管0.5V,锗管0.1V。 导通压降: 硅管0.6~0.8V,锗管0.2~0.3V。 反向击穿电压UBR 正向特性： E D I 反向特性： E D I反 U死区电压，不通；U死区电压，导通；U??I? I反很小，与温度有关；U?击穿电压，击穿导通；?I? ? 一、伏安特性 二、 主要参数 1.最大整流电流 IOM 2.最大反向工作电压URM 二极管长时间使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 二极管正常工作时允许承受的最大反向工作电压。手册上给出的最高反向工作电压URM一般是UBR的一半。 3. 最大反向电流 IRM 指二极管加反向工作峰值电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要大几十到几百倍。 1. 理想二极管 U 0，D导通；UD=0，I取决于外电路；相当于一个闭合的开关 E D I UD E I U U ?0，D截止；I=0， UD（负值）取决于外电路；相当于一个断开的开关 E D I反 UD E I反 U 三、 应用举例 2.二极管的应用 电路如图示：已知E=5V， ui=10sin?t V R D E ui uO 解： 此类电路的分析方法： 当D的阳极电位高于阴极电位时，D导通，将D作为一短路线； 当D的阳极电位低于阴极电位时，D截止，将D作为一断开的开关； 将二极管看成理想二极管 ui ? t uO ? t 10V 5V 5V 削波 例1 求： uO的波形 R RL ui uR uo t t t ui uR uo 设?=RC ?? tp，求uo的波形 tp 例2 电路如图示：已知 VA=3V VB=0V 求：VF=？ 解： 此类电路的分析方法： 将二极管看成理想二极管。 当几个二极管共阳极或共阴极连接时，承受正向电压高的二极管先导通。 DB通， VF=0V R DA A DB B +12V F 箝位 隔离 例3 光电器件 几种常用的光电器件 1）发光二极管 LED 发光器件 结构：由能发光的化合物半导体材料制作成PN结 功能：将电能转换成光能。 工作原理：PN结加正向电压导通时，发光； PN结加反向电压截止时，不发光。 导通电压：1 ~ 2V 导通电流：几 ~ 几十毫安，须接限流电阻 注意：光电二极管工作在反向状态！ 2）光电二极管 受光器件 功能：将光能转换成电能。 工作原理：光照时，产生随光照强度而增加的反向电流； 无光照时，反向电流（暗电流）很小。 光电流很小，一般几十微安，应用时须放大。 注意：光电三极管工作时，发射结正偏，集电结反偏！ 3）光电三极管 受光器件 功能：将光能转换成电能，且有电流放大作用。 工作原理：无光照时，暗电流为 IC=（1+?）ICBO； 有光照时，光电流为 IC=（1+?）IL 。 IL为光照时流过集电结的反向电流。 E（-） C（+） 特点：输入输出电气隔离，抗干扰能力强； 传输信号失真小，工作稳定可靠。 4）光电耦合器 功能：由光将输入端的电信号传递到输出端。 工作原理：