62半导体器件特性的测量与分析.docxVIP

实验6.2 半导体器件特性的测量与分析 【摘要】 这次实验主要是为了熟悉了解双极、场效应晶体管，发光、光敏二极管等半导体单元器件的基本原理、特性和主要参数。同时学会使用“半导体管特性图示仪”测量各类半导体器件的特性曲线和直流参数。了解“微机半导体器件特性测试仪”的优越性，并学会使用。 【引言】 近几十年来，半导体材料和器件的发展很快。半导体器件的种类很多，典型的放大器件有双极型晶体管和场效应晶体管，部分光电子器件的工作原理在先行课程中已有介绍。近年来，半导体光电子器件的发展和应用更为迅速，它们的基本原理在本实验的附录中作了介绍。了解这些器件的工作原理及掌握其主要参数的测量有重要的实用价值。半导体器件主要参数的测量仪器有“半导体管特性图示仪”，本实验的目的是让学生了解并学会使用这些仪器，通过几种典型半导体管的测量，对半导体双极、场效应晶体管，发光、光敏二极管等单元器件工作原理及特性参数有进一步了解。 【关键词】 半导体 特性 晶体管 【正文】 一、实验仪器 1、“半导体管特性图示仪”是一种用示波管显示半导体器件的各种特性曲线，并可测量其重要参数的测试仪器。 电路结构：该仪器主要由阶梯信号发生器、集电极扫描电压、X轴和Y轴放大器、二簇电子开关、低压电源、高频高压电源及示波器控制电路等部分组成。电路原理框图见图6.2-1。 该仪器最主要的电路是提供一个50Hz市电经全波整流后成为100H