2.2光刻、光刻胶和刻蚀分析.pptVIP

缺点 1、曝光效率低； 2、设备复杂、昂贵。 优点 1、掩模版寿命长，图形缺陷少； 2、可以使用高数值孔径的透镜来提高分辨率，通过分步聚焦来解决焦深问题，可以在大基片上获得高分辨率的图形； 3、由于掩模尺寸远大于芯片尺寸，使掩模制造简单，可减少掩模上的缺陷对芯片成品率的影响。 小结 限制光学曝光方式的分辨率的主要因素是衍射效应。最早使用的接触式光刻机，分辨率可到 1 ?m以下，但容易损伤掩模和硅片。解决的办法是使用接近式光刻机，但要影响分辨率。介绍了具有亚微米分辨率的投影曝光系统。为了解决分辨率和焦深之间的矛盾，可以采用分步重复的方式。 光学曝光的各种曝光方式及其利弊小结 接触式 非接触式 优点：设备简单，分辨率较高 缺点：掩模版与晶片易损伤，成品率低 接近式 优点：掩模版寿命长，成本低 缺点：衍射效应严重，影响分辨率 投影式 全反射 折射 优点：无像差，无驻波效应影响 缺点：数值孔径小，分辨率低 优点：数值孔径大，分辨率高， 对硅片平整度要求低， 掩模制造方便 缺点：曝光效率低，设备昂贵 　 将曝光后的基片用显影液浸泡或喷雾处理。对负胶，显影液将溶解掉未曝光区的胶膜；对正胶，显影液将溶解曝光区的胶膜。几乎所有的正胶都使用碱性显影液，如 KOH 水溶液。 显影过程中光刻胶膜会发生膨胀。正胶的膨胀可以忽略，而负胶的膨胀则可能使图形尺寸发生变化。 显影过程对温度非常敏感。显影过程有可能影响光刻胶的对比度，从而影响光刻胶的剖面形状。 　　显影后必须进行严格的检查，如有缺陷则必须返工。 2.4.5 光刻胶的显影 　　自动显影检查设备 2.5 刻蚀(Eching) 定义: 由預先定义好的图形把不要的区域去除，保留要留下的区域，将图形转移到所选定的举出上其过程称之为刻蚀。 刻蚀的作用 制作不同的器件结构，如线条、接触孔、栅等。 被刻蚀的材料 半导体，绝缘体，金属等。 刻蚀方法 可以是物理性(离子碰撞)，也可以是化学性(与薄膜发生化学反应)，也可以是两者的混合方式。 1、认识刻蚀 2、刻蚀失败的例子 (1) 获得满意的剖面（倾斜或垂直） (2) 钻刻最小 (3) 选择比大 (4) 刻蚀均匀性好，重复性高 (5) 对表面和电路的损伤最小 (6) 清洁、经济、安全。 3、对图形转移的要求 4、刻蚀工艺的分类 (1) 湿法刻蚀与干法刻蚀 (2) 各向同性刻蚀与各向异性刻蚀 a. 湿法刻蚀：采用液态化学试剂进行薄膜刻蚀 b. 干法刻蚀：采用气态的化学气体进行薄膜刻蚀 a. 各向同性刻蚀：薄膜在各个方向上都受到同样的刻蚀 b. 各向异性刻蚀：薄膜在各个方向上所受刻蚀不等 a. 横向刻蚀速度 RL b. 纵向刻蚀速度 RV (2) 选择比：不同材料的刻蚀速率比. (3) 钻刻：掩膜材料下的侧向刻蚀。 各向异性度： A=0, 各向同性刻蚀 A=1, 理想的各向异性刻蚀 1A0 ，实际的各向异性刻蚀 5、刻蚀工艺的品质因数 (1) 刻蚀速率：单位时间刻蚀的厚度。 ——决定了刻蚀工艺的产率 ——决定了刻蚀后剖面形貌和“钻蚀”程度 膜层厚度的不均匀+刻蚀速率的不均匀→图形转移尺寸的不均匀 （4）均匀性： 二、湿法刻蚀 1）反应物扩散到被刻蚀的材料表面； 2）反应物与被刻蚀薄膜反应； 3）反应后的产物从刻蚀表面扩散到溶液中， 并随溶液被排出。 1、湿法刻蚀: 利用溶液与预刻蚀材料之间的化学反应来去除 未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而达到刻蚀目的。 2、三个步骤： a. 刻蚀溶液的种类 b. 溶液的浓度 c. 反应温度 d. 搅拌 速率控制方法： 各相同性的，钻蚀严重，对图形的控制性较差。 安全性、洁净性差。 I. 刻蚀液的选用：选择比大。 II. 掩蔽膜的选用： 粘附性；稳定性；抗蚀性好； III. 主要优点： 设备简单，成本底，产量高，并且具有很好的刻 蚀选择比，重复性好。 IV. 主要缺点 湿刻的工艺过程（例） transparent glass Cr patterned film Mask Si photoresist SiO2 film Al film Si UV exposure Si Develop solution Si Pattern transfer to photoresist Si Etching of Al film Isotropic etching undercut Film etching undercut Layer 2 Layer 1 湿法刻蚀中的侧向腐蚀 SiO2腐蚀断面 三、干法刻蚀 c. 分类： 1、特点: 利用气体在外