第2章电力二极管和晶闸管.docVIP

第2章电力电子器件 1.电力电子器件按照能够被控制信号所控制的程度，可分为：半控型器件、全控型器件和不可控器件。 2.PN结中的电荷量随外加电压而变化，呈现电容效应，称为结电容CJ，又称为微分电容。结电容按其产生机制和作用的差别分为势垒电容CB和扩散电容CD。势垒电容只在外加电压变化时才起作用（空间电荷区的宽度变化，具有充放电效应），外加电压频率越高，势垒电容作用越明显。势垒电容的大小与PN结截面积成正比，与阻挡层（空间电荷区）厚度成反比，故在正偏低电压变化时CB较大，而反偏时CB较小，但由于反偏电阻大，其并联等效电容CB亦不可忽视；扩散电容仅在正向偏置时存在，由空间电荷区两侧的P、N区少子浓度分布形成的电荷存储效应形成，正偏电压较大时电荷存储量增大，表现为扩散电容CD较大。总之，在反偏和正偏低压时，以势垒电容为主；正向电压较高时，扩散电容为结电容的主要成分。 1.关于电导调制效应，以下叙述中正确的是：() A.仅在PN结上流过的正向电流，且电流较大时存在；B.它是由于注入并积累在低掺杂区的少子，浓度远远超过原始基片中多子浓度，为了维持半导体电中性条件，其多子浓度也相应地大幅度增加，使得其电导率明显增加，从而构成所谓“电导调制效应”；C.对于单极性晶体管不存在电导调制效应；D.电导调制效应使晶体管的导通电阻降低。 3.什么是电导调制效应？ 答：当PN结上流过的正向电流较大时，注入并