自蔓延法制备陶瓷粉体技术方案.pptVIP

自蔓延高温合成 SHS 自蔓延高温合成技术（Self-propagating High-temperature Synthesis SHS）或燃烧合成（Combustion Synthesis CS）,是依靠反应自身化能放 热来合成材料的新技术。 * * * 自蔓延高温法制备陶瓷粉体 它最大的特点是除引燃外无需外部热源，效率高。 其主要特征是反应只需局部点火引发燃烧波，并使其在原料中传播以实现 系統的合成过程。 SHS 技术是基于放热化学反应的基本原理，利用外部能量诱发局部化学反应（点燃），形成化学反应前沿（燃烧波），此后，化学反应在自身放热的支援下继续进行，表现为燃烧波蔓延至整个体系，最后合成所需的材料。 点火电极 已反应区 燃烧区 预热区 未反应区 图 1 SHS反应过程示意图 一、自蔓延燃烧技术的原理 备陶瓷粉体的特点自蔓延燃烧技术制 反应时间短、节约能源 反应污染小 通过化学反应自身放热维持反应进行 所需设备、工艺简单 产品纯度高，产品转化率接近100% 产物中缺陷和非平衡相相对集中，粉体更易烧结 可制备非化学计量比的产品、亚稳相和中间产物 二、自蔓延技术制备陶瓷粉体 图 2 SHS 制备陶瓷粉体的工艺流程图 原材料制备 压制成型 预热 点火引燃 机械破碎 自蔓延高温合成 得到陶瓷粉体 SHS 制备陶瓷粉体的工艺及影响因素 影响燃烧反应的因素 混合反应物時，粉料颗粒的大小、形状等直接影响燃烧反应 对反应物进行加压时，压实密度将影响整个燃烧过程燃烧波的稳定性 二、自蔓延技术制备陶瓷粉体 三、自蔓延的反应形式 (1) 直接合成法 直接合成法是两种或两种以上反应物发生反应直接合成产物， 而无需中间反应。但该方法一般需要特制的反应器，设备复 杂，多用於粉末冶金领域中制取难熔的金属化合物和金属基 陶瓷等。 (2) Mg热和Al热合成法 Mg热和Al热合成法是采用活泼金属首先把金属或非金属元素从其 氧化物中还原出來，之后通过还原出的元素之间的相互反应來合 成所需的化合物。 Ref. 1 中国陶瓷 vol. 40, No. 1, pp. 28-31 上硅所 SHS 合成技术的点火方法可分为整体加热法和局部加热法 (1) 整体加热法 整体加热是将整个反应物以恒定的加热速度在炉內加 热，直到燃烧反应自动发生。 (2) 局部加热法 局部点火法是利用热辐射、金属线圈、雷射诱导、电火花、 化学炉、电热、微波等高能量进行点火，一旦点燃，反应就 以波的方式持續续传播。 四、SHS 合成技术的点火方法 上硅所用SHS合成超高温陶瓷ZrB2-SiC-ZrC活性粉体 超高温陶瓷（UHTCS）是在1800度以上使用，具有3000度左 右熔点及高温抗氧化性和热震性的过渡金属的硼化物、碳化物 和氮化物。 发生的化学反应 制备过程 原材料混合 压制成型 红外加热引燃 机械破碎 自蔓延高温合成 得到陶瓷粉体 五、SHS 合成超高温陶瓷 图 3 自蔓延反应合成的活性粉体的XRD 由自蔓延反应生成的 ZrB2-SiC-ZrC 粉的XRD图谱如图3所见。虽然反应在空 气中进行，但是生成的物相除了ZrB2，SiC及ZrC相外并没有氧化物的相生成。 Ref. 2 稀有金属材料与工程, 2007, vol. 36, suppl. 2, pp. 20-23 五、SHS 合成超高温陶瓷 图 4 自蔓延高温合成设备示意图 五、SHS 合成铜铟鎵锡细粉 Cu(In,Ga)Se2是一种直接带隙材料，光吸收系数高达105 cm-1数量级，光电转换效率高，所以CIGS作为太阳能电池的吸收层材料受到越来越多的重视。 SHS系统 高压反应炉 温度采集系统 实时图像摄录系统 真空系统 点火装置 预热加热装置 加压装置 五、SHS 合成铜铟鎵锡细粉 图 6 卧式快干自蔓延高温反应釜 图 5 自蔓延法合成 CIGS 的过程 大连通产高压釜容器制造有限公司 图 7 化学炉装置示意图 a c b d a) 钨丝 b) Cr2O3-Al-C 混合粉 c) CIGS 反应物 d) 石墨纸 利用化学炉制备铜铟鎵锡 “化学炉”方式是自蔓延烧结中常用的一种手段，Cr2O3-AI-C体系先将预制块包裹起来，先引燃外围体系发生自蔓延反应放出应放出热量给内部体系加热引燃的 CIGS 坯体，Cr2O3-AI-C 自蔓延体系放热量大，最高温度可达1670℃，反应发生后散热速度慢，可以在较高温度维持一段时间，以加快内部体系各反应物的扩散速度。 c d 图 8 两种自蔓延方式合成的CIGS断面扫描电镜图 a), b) 通电加热的钨丝点燃自蔓延合成；c), d) “化学炉”自蔓延方式燃烧合成 五、SHS 合成铜铟鎵锡细粉 Ref. 3 武汉理工大