单级放大电路计 模电实验.doc

东南大学电工电子实验中心 实 验 报 告 课程名称： 电子电路基础 第 三 次实验 实验名称： 单级电压放大电路设计 院 （系）： 吴健雄 专 业： 电类 姓 名： 学 号： 实 验 室: 实验组别： 同组人员： 实验时间： 2011 年 5 月5 日 评定成绩： 审阅教师： 实验 单级电压放大电路实验时数： 学时 时间要求： 第～周完成，第周内交实验报告 教 材： 《电子线路实践》Page ～实验检查： 学习目标 掌握单级放大电路的工程估算、安装和调试 了解三极管各项基本器件参数、工作点、偏置电路、输入阻抗、输出阻抗、增益、幅频特性等的基本概念以及测量方法 掌握基本的模拟电路的故障检查和排除方法，深化示波器、稳压电源 、交流表、函数发生器的使用技能训练设计提示 图3-1 射级偏置电路 对于图中的偏置电路，只有R2支路中的电流I1IBQ时，才能保证BQ恒定实现自动稳定工作点的作用，所以工程中一般取：（硅管） （锗管） 为了提高电路的稳定性，一般要求BQUBE，工程中一般取BQ=(5~10)UBE，即BQ=(3～5)V（硅管），BQ=(1～3)V（锗管） 电路的静态工作点电流 由于是小信号放大，所以ICQ一般取0.5~2mA ICQ确定后通过以下公式可计算R1和R2的值：， 。 交流电压放大倍数 交流输入阻抗 交流输出阻抗电路频率特性的下限频率值主要受C1，C2和CE影响，其关系分别为，，。 幅频特性曲线、上限频率、下限频率、截止频率中心频率、带宽的测量方法： (a)单级放大器放大特性 (b)低通特性 (c)高通特性 (d)带通特性 图3-2 幅频特性示意图 幅频特性反应了电路增益和频率之间的关系，图3-2列出了常见的幅频特性类型。 (a)和(d)中的fL表示下限频率，fH表示上限频率，带宽BW=fH-fL，(d)中的f0表示中心频率；(b)和(c)中的 f0表示截止频率。在实验中可采用“逐点法”测量不同频率时的电压放大倍数Au来测量幅频特性。测量时，保持输入信号幅度不变，改变输入信号频率，每改变一次信号频率，用交流毫伏表或示波器测量一个输出电压值，计算其增益，然后将测试数据列表、整理并在坐标纸上将其连接成曲线。由于函数发生器的输出信号幅度在不同频率时可能会有变化，因此每改变一次频率都要用交流毫伏表或示波器测量输入信号的幅度，一定要保证输入信号的幅度不改变。 为了更快更准确的测量幅频特性，必须根据不同幅频特性类型，选择不同的测量技巧。对于(a)可先测出中频区的输出电压值，然后调高或调低频率使输出电压降到中频电压值的0.707倍，从而找到fL和fH，然后在fL和fH之间和左右找3至5个点进行测量，即可较准确的绘制曲线。(b)和(c)也可参考这种方式来测量。对于(d)可从较低的频率值逐步增加频率，用交流毫伏表或示波器测量输出信号，刚开始输出信号幅度随着频率的增加而增加，当增加到某一个频率时，输出信号幅度随着频率的增加开始减小，则该频率为中心频率，记下该频率对应的幅度，然后调高或调低频率使输出电压降到中心频率电压的0.707倍，从而找到fL和fH。 四、预习思考： 器件资料： 上网查询本实验所用的三极管9013的数据手册，画出三极管封装示意图，标出每个管脚的名称，将相关参数值填入下表参数符号 参数值 参数意义及设计时应该如何考虑 VCBO 发射极开路时，集电极‐基极的之间的反向击穿 电压，是集电结所允许加的最高反向电压 VCEO 基极开路时，集电极‐发射极之间的反向击穿电 压，此时集电结承受反向电压 VEBO 集电极开路时，发射极‐基极之间的反向电压， 是发射结所允许加的最高反向电压 IC 500mA 最大集电极电流，使 β 值明显减小的 IC为 ICM IE ‐500mA 最大发射极电流，使 β 值明显减小的 IE为 IE hFE 96~246 直流增益,共射直流电流系数 ≈ IC/ IB VCE(sat) 0.1(T)0.25(MAX)V 集电极‐发射极饱和电压 VBE 0.8(T)1(MAX)V 基极‐发射极电压 fT 140(MIN)MHZ 晶体管频率,特征频率，使 β