IC工艺_8_1new.ppt

* * 已知 、NA及k值，计算分辨率和焦深 ????? 2(NA)2 DOF = Photoresist Film Depth of focus Center of focus + - Lens, NA Wafer Mask Illuminator, ? DOF ????? ?? ???R DOF 365 nm 0.45 486 nm 901 nm 365 nm 0.60 365 nm 507 nm 193 nm 0.45 257 nm 476 nm 193 nm 0.60 193 nm 268 nm i-line DUV k????? NA R = * * Optical Lithography Image of circuit patterns projected onto wafer Feature size limited by diffraction effects Rayleigh limits Resolution Depth of focus q Mask Silicon Wafer Illumination (Wavelength l) Numerical Aperture: * * 250 180 130 100 70 50 * * 总的说来，光刻指的是将图形转移到一个平面的任一复制过程，是用来形成非常细小的特征图形的过程。 * 每一层掩膜包含一层工艺图形。 * 最终的图形是由多个掩膜版按照特定的顺序在晶圆表面一层一层迭加起来的。 * 要求：在保持光刻胶基本性能的前提下提高灵敏度； * 随着晶圆尺寸增大，周围环境会引起晶圆片的膨胀和收缩。因此对周围环境的温度控制要求十分严格，否则会影响光刻质量。 * * 14 14 14 13 13 13 * 15 15 15 14 14 14 14 13 * 16 16 16 15 15 15 15 14 液态光刻胶中溶剂占65%－85%，甩胶后成为固态薄膜（仍含10%－30%的溶剂），前烘后光刻胶中溶剂降至5%左右。 * * 17 17 17 16 16 16 16 15 * * 18 18 18 17 17 17 17 16 * 光学光刻是通过光学系统以投影方法将掩模上的大规模集成电路器件的结构图形“刻”在涂有光刻胶的硅片上 频率和振幅均相同、振动方向一致、传播方向相反的两列波叠加后形成的波。波在介质中传播时其波形不断向前推进，故称行波；上述两列波叠加后波形并不向前推进，故称驻波。 * 频率和振幅均相同、振动方向一致、传播方向相反的两列波叠加后形成的波。波在介质中传播时其波形不断向前推进，故称行波；上述两列波叠加后波形并不向前推进，故称驻波 * 19 19 19 18 18 18 18 17 * * * 22 22 22 21 21 21 21 20 * 23 23 23 22 22 22 22 21 * 24 24 24 23 23 23 23 22 * * * * * 显影检查的返工流程 1. Vapor prime HMDS 2. Spin coat Resist 3. Soft bake 4. Align and expose UV light Mask 5. Post-exposure bake 6. Develop 7. Hard bake 8. Develop inspect O2 等离子体 去胶清洗 不合格硅片 合格硅片 Ion implant Etch 返工 * * * * 显影目检测量工具 　 显影后检查需要一个复杂的系统，以前通常是由一熟练操作人员借助光学显微镜手工完成； 　　现在的工艺中，普遍使用自动检查设备，特别是深亚微米工艺光刻。 * * * * Develop Inspect Optical or SEM (扫描电子显微镜) metrology Inspect to Verify a Quality Pattern Identify Quality Problems (Defects) Characterize the Performance of the Photolithography Process Prevents Passing Defects to Other Areas Etch Implant Rework Mis-processed or Defective Resist-coated Wafers Typically an Automated Operation * * * * 九、刻蚀 用刻蚀剂将晶圆表面没有被光刻胶盖住的 部分去掉，使图形从光刻胶层转移到晶圆层。 　　光刻胶是抗刻蚀的 (etch-resistant)。 *