计算机组成原理期中复习.docVIP

第一二章 ①8421码的加法修正: 相加之和大于9,或有进位时,再加6。(见P71例3.10) ②余3码的加法修正: 不产生进位时减3;产生进位时加3。(见P72例3.11) ③定点小数,定点整数对应的三种表示方式(原码.png,反码.png,补码.png,整数的三种表示方法.png) ④浮点数表示(浮点数表示范围.png,移码.png) 第三章 ①二进制乘法 Ⅰ定点原码的一位乘法(定点原码一位乘.png) Ⅱ定点补码的一位乘法[重点] 法一:乘数为正数--正常运算(见P85例3.33) 乘数为负数--无视乘数符号位,在正常运算结束后加上[-乘数](补)(见P65例3.34) 法二:布斯公式(布斯补码一位乘法.png) Ⅲ定点原码2位乘法(定点原码2位乘.png) Ⅳ定点补码2位乘法[重点] 法一:(定点补码2位乘_一位符号.png) 法二:(定点补码2位乘_二位符号.png) ②二进制除法 Ⅰ定点原码的一位除法 法一:(原码1位恢复余数除法.png) 法二:(加减交替除法_原码.png) Ⅱ定点补码的一位乘法(加减交替除法_补码.PNG,加减交替除法_补码_规则.png)[重点] ③浮点数运算 Ⅰ加法(浮点数加法.png) Ⅱ乘法(浮点数乘法.png) ④存储器的分类 RAM：随机存储器，又称可读写存储器。 动态RAM--利用MOS电容存储电荷来保存信息，使用时需不断给电容充电才能使信息保持。 静态RAM--利用双稳态触发器来保存信息，只要不断电，信息就不会丢失 ROM：只读存储器。 PROM：可编程序的只读存储器。 EPROM ：可擦除可编程序只读存储器。 EEPROM：可用电擦除的可编程序只读存储器。 Flash Memory: 快闪存储器(可以整块擦除，也可局部擦除)。 附:上述各种存储器中，RAM为“易失性存储器”，其余的称为“非易失性存储器”(断电以后信息不会丢失)。 ⑤主存储器的主要技术指标为：容量、存取时间、存储周期。 第四章 ①SDRAM 引脚--168 电压--3.3 DDRAM 引脚--184 电压--2.5 DDR 2 引脚--230 电压--1.8 ②存储器容量扩展 位扩展(位扩展.png) 字扩展(字扩展.png) ③刷新周期：从上一次对整个存储器刷新结束到下一次依次对整个存储器全部刷新一遍为止所需要的时间。一般为2ms。 集中刷新--在一个刷新周期内, 利用一段固定的时间, 依次对存储器的所有行逐一再生,在此其间停止对存储器的读和写。 分布刷新--采取在2ms时间内分散地将1024行刷新一遍的方法。具体做法是将刷新周期除以行数，得到两次刷新操作的时间间隔t，利用逻辑电路每隔时间t产生一次刷新请求。 第五章 ①指令格式与机器的字长、存储器的容量及指令的功能都有很大关系。 ②指令周期状态图.png ③霍夫曼编码(见P143) ④指令分类 算术逻辑运算指令;移位操作指令;浮点运算指令;十进制运算指令;字符串处理指令;数据传送指令 转移类指令;堆栈及堆栈操作指令;输入输出(I/O)指令;特权指令;其他指令 ⑤寻址方式(寻址方式特点.png,寻址方式举例.png) 第六章 ①Intel 80386微机系统图.png ②控制器基本组成.png ③运算器框图.png,运算器逻辑框图.png ④微程序流程图.png ⑤微程序控制器的基本结构.png