微系统的重要材料—硅衬底的补充说明技术分析.ppt

溅射产额 溅射是一个离子轰击物质表面，并在碰撞过程中发生能量和动量转移，从而最终将表面原子激发出来的复杂过程。溅射产额是被溅射出来的原子数与入射原子数之比，它是衡量溅射效率的一个参数。它与入射离子能量、物质种类、和入射角等因素有关。 只有当入射离子能量超过一定的阀值以后、才会出现被溅射物表面溅射。每一种物质的溅射阀值与入射离子的种类关系不大、但是与被溅射物质的升华热有一定的比例关系。 随着入射离子能量的增加、溅射产额先是提高、其后能量达到10kev左右时趋于平缓。其后、当离子能量继续增加时溅射产额反而下降．当入射离子能量达到100kev左右时发生注入． 溅射沉积装置: 主要有以下四种溅射方法∶ (1)直流溅射；(2) 射频溅射；(3)磁控溅射；(4)反应溅射。 * 三要素（光刻胶、光刻模板、对准曝光机） 五步骤（基片前处理、匀胶、前烤、对准曝光 、后烤、除胶） 蚀刻之前的等离子体清胶 微系统的重要材料——硅衬底的补充说明 晶体结构：近似面心立方晶格（实际FCCA+FCCB,晶胞含8+6+4个原子、晶格常数0.543nm)； 密勒指数：设初基胞（面心立方）置于xyz坐标系中，平行于坐标平面的为（100）晶面族、平行于某一坐标轴的对角线平面为（110）晶面族、与三个轴都等节距相交的平面为(111)晶面族；表现出力学常数、加工特性等方面的各项异性； 机电特性：薄膜状态弹