半导体激子基态性质的研究林晓熙教案分析.docVIP

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  • 2016-06-09 发布于湖北
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半导体激子基态性质的研究林晓熙教案分析.doc

本科毕业设计(论文) 半导体激子基态性质的研究 林晓熙 燕 山 大 学 2010年 6月 摘要 半导体激光器是很多日常装备中的关键部分,为了提高这些设备的性能,全界都在努力的研制和开发开,更小,更亮,效率更高或可在新的波长下工作的半导体激光器。而作为半导体发光性质的重要应用,进一步了解半导体的发光性质对于半导体激光器的发展是很重要的。本文研究的课题就属于半导体激光器的发光性质方面的理论分析和计算。 论文首先介绍了半导体的发光原理及激子。从而说明了研究半导体的发光性质的重要性。指出半导体激光器中激子的复合发光起起着重要作用。激子概念的提出对于半导体发光而言是一个重要的里程碑,有关激子束缚态的研究一直是人们关注的热点。文章主要介绍了有关激子基态的理论研究和实验上的状况。 本文使用有限元方法,利用虚时演化的计算方法,使用Matlab数学软件,近似计算激子在无限深势阱里的基态及基态能。并对计算结果进行讨论。 关键词 半导体激子;束缚基态;有限元法;matlab Abstract Semiconductor lasers ale used extensively in many equipments.The better properties in semiconductors are expected to develop the optoel

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