CCD与CMOS的图像传感器的研究(黄成华)概述.docVIP

文献综述 CCD 与CMOS 的图像传感的研究（黄成华） 班级：电子信息工程1103 姓名：黄成华 指导老师：徐老师 一．前言 70 年代初，随着MOS 技术的成熟，三种典型的固体图像传感—电荷耦合器件（CCD）、电荷注入器件（CID）、光敏二极管阵列（PDA）得到了发展。在这三种固体图像传感器中，CCD 发展最为迅速。CCD 器件及其应用技术的研究取得了惊人的进展。到90 年代初，CCD 技术已比较成熟。作为一种新型光电转换器被广泛应用，特别是在图像传感和非接触式测量领域的发展则更为迅猛。随着CCD 应用范围的扩大，其缺点逐渐暴露出来。为此，人们又开发了另外几种固体图像传感器技术。其中，最引人注目、最有发展潜力的是CMOS 图像传感器，它能获得和CCD 产品相似的图像质量，且在功耗、集成度上都取得了很大突破。CMOS 图像传感器具有许多优点，如芯片内部集成了A／D 转换器、输出为数字信号、外围线路简单、工作时不需要相位驱动脉冲、价格便宜等，这些优点使其很适合于桌面多媒体、视频会议、图像监控等场合。目前用于图像传感的器件主要有CCD 和CMOS 两大类。就目前的应用情况来看，CMOS 器件的成像质量还不如CCD 器件的成像质量好。但由于CMOS 的很多优点，使得其一出现便受到广泛关注，其应用领域也逐渐扩大。CMOS 器件在工艺等方面的改进，成像质量的改善，系统集成技术的应用。 二．主题 本文介绍了CCD与CMOS图像传感器的原理、特点及发展趋势。分别对CCD与CMOS 图像传感器的结构和工作原理进行对比研究，尤其是CMOS与CCD 两类图像传感之间的不同进行综述。重点介绍了CMOS 图像传感器的应用技术和发展趋势。 三. 研究的背景和意义 随着数码相机、手机相机的兴起，图像传感器正逐渐成为半导体产品中最耀眼的明星之一，而在图像传感器中，CCD与CMOS传感器是当前被普遍采用的两种图像传感器，两者都是利用感光二极管(photodiode)进行光电转换，将图像转换为数字数据，而其主要差异是数字数据传送的方式不同。CCD传感器与CMOS传感器都在尽力克服自身的缺点，希望成为市场上的主流技术。CCD 全称为“电荷耦合器件”，是上世纪70 年代以来逐步发展起来的半导体器件。它是在MOS 集成电路技术基础上发展起来的，为半导体技术应用开拓了新的领域。它具有光电转换、信息存贮和传输等功能，具有集成度高、功耗小、结构简单、寿命长、性能稳定等优点，故在固体图像传感器、信息存贮和处理等方面得到了广泛的应用。CCD 图像传感器能实现信息的获取、转换和视觉功能的扩展，能给出直观、真实、多层次的内容丰富的可视图像信息，被广泛应用于军事、天文、医疗、广播、电视、传真通信以及工业检测和自动控制系统。实验室用的数码相机、光学多道分析器等仪器，都用了CCD 作图像探测元件。一个完整CCD 器件由光敏单元、转移栅、移位寄存器及一些辅助输入、输出电路组成。 CCD 工作时，在设定的积分时间内由光敏单元对光信号进行取样，将光的强弱转换为各光敏单元的电荷多少。取样结束后各光敏元电荷由转移栅转移到移位寄存器的相应单元中。移位寄存器在驱动时钟的作用下，将信号电荷顺次转移到输出端。将输出信号接到示波器、图象显示器或其它信号存储、处理设备中，就可对信号再现或进行存储处理。由于CCD 光敏元可做得很小（约10um），所以它的图像分辨率很高。CCD 的基本单元是MOS 电容器，这种电容器能存贮电荷，其结构如图1-1 所示。以P 型硅为例，在P 型硅衬底上通过氧化在表面形成SiO2 层，然后在SiO2 上淀积一层金属为栅极，P型硅里的多数载流子是带正电荷的空穴，少数载流子是带负电荷的电子，当金属电极上施加正电压时，其电场能够透过SiO2 绝缘层对这些载流子进行排斥或吸引。于是带正电的空穴被排斥到远离电极处，剩下的带负电的少数载流子在紧靠SiO2 层形成负电荷层（耗尽层），电子一旦进入由于电场作用就不能复出，故又称为电子势阱。当器件受到光照时（光可从各电极的缝隙间经过SiO2 层射入，或经衬底的薄P 型硅射入），光子的能量被半导体吸收，产生电子-空穴对，这时出现的电子被吸引存贮在势阱中，这些电子是可以传导的。光越强，势阱中收集的电子越多，光弱则反之，这样就把光的强弱变成电荷的数量，实现了光与电的转换，而势阱中收集的电子处于存贮状态，即使停止光照一定时间内也不会损失，这就实现了对光的记忆[2]。 图1-1用作少数载流子贮存单元的MOS图 由分析可知，上述结构实质上是个微小的MOS 电容，用它构成象素，既可“感光”又可留下“潜影”，感光作用是靠光强产生的电子电荷积累，潜影是各个象素留在各个电容里的电荷不等而形成的，若能设法把各个电容里的电荷依次传送到输出端，再组成行和帧并经过