光电探测解说.docVIP

1.光电效应：光子直接与电子作用（吸收、能量传递），引起电子运动状态改变，从而改变固体电学性质 不是直接作用：热电效应 分类（看是否发射电子）：内光电效应（光电导效应、光伏效应、光子牵引效应、光磁电效应） 外光电效应（光电发射效应） 简答题2.光电导效应：针对的材料只是半导体。半导体的导电性能与其中的自由载流子浓度有关，某一温度下存在自由载流子（热平衡载流子），受到光照，材料吸收光辐射而产生新的载流子（光生载流子），使半导体的电导率发生变化的现象。（书125面补充） 3. 本征半导体：由此知本征光电导效应截止波长为 非本征半导体： Ei是杂质能级，一般Ei远小于Eg，因此其截止波长远大于本征半导体 3.光伏效应：PN结的介绍：N区多数载流子电子，少数载流子空穴P区多数载流子空穴，少数载流子电子。耗尽层与内建电场的形成，动态平衡光照PN结：P区N区结区本征激发产生电子空穴对，破坏原有的平衡，产生的少数载流子在内建电场的作用下扩散，P区电子--N区--N区获得附加负电荷N区空穴---P区----P区获得附加正电荷，结果P区电势上升，N区电势下降，导致PN结两端形成了光生电动势，此即为光伏效应。 因此，光生电流的方向与内建电场的方向即漂移电流的方向相同，与扩散电流的方向相反。由N区指向P区。光生电动势V，使势垒由eVD降为ｅＶＤ － eV0，形成正向注入电流。 4. 热敏效应 5,热释电效应：光照---温度升高---晶体特定方向上自发极化随温度变化--表面电荷变化 简答题 某些晶体受光照射时温度升高，从而在晶体特定的方向上，由于自发极化引起的表面电荷变化叫热释电效应。 光电探测器的特性参量： 1)响应率R：光电探测器将入射光信号转换成电信号的能力 电压响应率： 电流响应率 量子效率：每秒产生的光电子数/每秒入射波长为的光子 P入射光功率Ip探测器输出的平均光电流 实际器件 ，理想器件才有 ， 越大探测器越好 3）噪声等效功率（NEP）噪声的存在 导致 能探测到的最小入射光功率受到限制（最小可探测功率）NEP：信号功率/噪声功率为1时，入射到探测器上的信号功率，通常把信噪比等于1作为能探测到光信号的起码条件，实际上信噪比等于1时信号很难直接测量到 I：入射光强 Ad：探测器的光敏面积P：入射到探测器上的光功率 Vs：探测器输出的均方根信号电压 Vn：探测器输出的均方根噪声电压 必须指明测量条件：例如NEP(500，400，1) 500为测量标准源为黑体，温度为500K 400为调制频率为400HZ 1为测量带宽为1HZ 4）探测率D，比探测率D* D：探测器探测最小光信号能力的指标，可以比较不同类型探测器性能的优劣 D越大，NEP越小，探测器性能越好D与Ad（光敏面积），△f（测量带宽）有关 Vn（噪声电压）与Ad-1/2，△f-1/2成正比，因此引入D*（比探测率），即为归一化的探测率（归一化到测量带宽为1HZ，探测器面积为1cm2） 5）光谱响应： 不同波长的光入射，探测器的响应率R﹑比探测率D*随光辐射波长变化而变化 峰值响应率 ﹑峰值比探测率 光电效应探测器的光谱响应曲线为有峰值的曲线 光热效应探测器的光谱响应曲线为与横轴平行的直线 光电效应探测器的理想光谱响应曲线： 曲线开始线性上升的原因：波长越长，每瓦功率的光子数越多，探测器对光子的吸收速率越快，曲线突然下降的原因：存在红限波长 6）响应速度（响应时间） 描述探测器对入射辐射响应快慢的特性参量 通常用响应时间来描述：时间常数τ 频率响应 ：入射波长不变，由于响应时间的存在，探测器的响应随入射辐射的调制频率而变化 ：探测器的上限调制频率 7）其他特性参量：响应率﹑比探测率﹑探测器噪声随探测器温度的变化 噪声电压Vn随调制频率的变化 探测器的阻抗及其随温度的变化 探测器的最佳偏置条件 1.5 光电探测器噪声 A）热噪声：电子的热运动所引起的，通过截面的电子数存在均方偏差，即有电子涨落，因此导致了热噪声；热噪声功率： 热噪声电流： 也可以用均方根值来表示，即把两端分别开方 热噪声属于白噪声 减少热噪声的手段：1）降温2）尽量缩短工作频带 B）散粒噪声：（白噪声）探测器在光辐射作用或者热激发下，光电子或载流子随机产生所造成的 C）产生--复合噪声：（与散粒噪声本质是相同的）半导体中由于载流子产生--复合的随机性引起 D）温度噪声：温度起伏引起的热探测器输出起伏 E）电流噪声（1/f噪声）又叫低频噪声﹑闪烁噪声﹑过剩噪声 2.1 光电子发射探测器：利用外光电效应，主要用于可见光，紫外光辐射探测 代表器件：光电倍增管 半导体的光电子发射 金属光电子发射效应的特点： 1）逸出