ch15基本放大电路解说.ppt

2. 耗尽型绝缘栅场效应管 (3) P 沟道耗尽型管 符号： G S D 予埋了P型 导电沟道 SiO2绝缘层中 掺有负离子 耗尽型 G S D G S D 增强型 N沟道 P沟道 G S D G S D N沟道 P沟道 G、S之间加一定 电压才形成导电沟道 在制造时就具有 原始导电沟道 3. 场效应管的主要参数 (1) 开启电压 UGS(th)：是增强型MOS管的参数 (2) 夹断电压 UGS(off)： (3) 饱和漏电流 IDSS： 是结型和耗尽型 MOS管的参数 (4) 低频跨导 gm：表示栅源电压对漏极电流 的控制能力 极限参数：最大漏极电流、耗散功率、击穿电压。 场效应管与晶体管的比较 电流控制 电压控制 控制方式 电子和空穴两种载 流子同时参与导电 载流子 电子或空穴中一种 载流子参与导电 类 型 NPN和PNP N沟道和P沟道 放大参数 rce很高 rds很高 输出电阻 输入电阻 较低 较高 双极型三极管 单极型场效应管 热稳定性 差 好 制造工艺 较复杂 简单，成本低 对应电极 B—E—C G—S—D * * * * * * * * * 两管集电极电位一减一增，呈等量异向变化， (2) 差模信号 ui1 = – ui2　大小相等、极性相反 uo= (VC1－?VC1 )－(VC2 +? VC１ ) =－2 ?VC1 即对差模信号有放大能力。 + – + – + – + – + – + – +UCC uo ui1 RC RB2 T1 RB1 RC ui2 RB2 RB1 + + + – – – T2 差模信号 是有用信号 (3) 比较输入 ui1 、ui2 大小和极性是任意的。 例1: ui1 = 10 mV, ui2 = 6 mV ui2 = 8 mV － 2 mV 例2: ui1 =20 mV, ui2 = 16 mV 可分解成: ui1 = 18 mV + 2 mV ui2 = 18 mV － 2 mV 可分解成: ui1 = 8 mV + 2 mV 共模信号 差模信号 放大器只 放大两个 输入信号 的差值信 号—差分 放大电路。 这种输入常作为比较放大来应用，在自动控制系统中是常见的。 15. 8. 2 典型差分放大电路 +UCC uo ui1 RC RP T1 RB RC ui2 RE RB + + + – – – T2 EE + – RE的作用：稳定静态工作点，限制每个管子的漂移。 EE：用于补偿RE上的压降，以获得合适的工作点。 电位器 RP : 起调零作用。 1.静态分析 在静态时，设 IB1 = IB2 = IB， IC1= IC2 = IC，忽略阻值很小的 RP 可列出 上式中前两项较第三项小得多略去， 则每管的集电极电流 发射极电位 VE ? 0 每管的基极电流 每管的集 — 射极电压 15. 8.3 差分放大电路对差模信号的放大 RC +UCC RB1 T1 RE -EE IB 2IE IC IE +UCE + － UBE + － 单管直流通路 2.动态分析 单管差模信号通路 由于差模信号使两管的集电极电流一增一减，其变化量相等，通过 RE 的电流近于不变，RE 上没有差模信号压降，故 RE 对差模信号不起作用，可得出下图所示的单管差模信号通路。 单管差模电压放大倍数: 同理可得 T1 RC ib ic + uo1 RB + ? ui1 ? 双端输入—双端输出差分电路的差模电压放大倍数为 当在两管的集电极之间接入负载电阻时 式中 两输入端之间的差模输入电阻为 两集电极之间的差模输出电阻为 例1:在前图所示的差分放大电路中,已知UCC=12V， EE = 12V, ? = 50, RC = 10 k?, RE =10 k?, RB = 20 k?， RP =100 ?, 并在输出端接负载电阻RL = 20k?, 试求 电路的静态值和差模电压放大倍数。 解: 式中 单端输出时差分电路的差模电压放大倍数为 即：单端输出