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光电检测技术考点整理 一、填空题（35分） 能带形成原因电子共有化。 2.本征吸收在长波方向存在一个界限，称为长波限。也称红线： 半导体的禁带宽度愈窄，长波限愈长。 掺杂半导体的长波限大于本征半导体的长波限。 本征吸收发生条件：光子能量必须大于等于材料禁带宽度： 载流子包括自由电子和自由空穴。 N型：由施主（易释放电子的原子）能级激发到导带中去的电子来导电的半导 体称为N型半导体。 自由电子的浓度＞自由空穴浓度； 施主能级Ed靠近导带Ec； 施主电离能△Ed↑，电子更容易跃迁到导带。 P型：由受主（容易获取电子）控制材料导电性的半导体。 自由空穴的浓度＞自由电子浓度； 受主能级Ea靠近价带Ev； 受主电离能△Ea↓，电子更容易跃迁到受主能级。 5.载流子复合过程一般有直接复合和间接复合两种。 掺杂半导体一间接复合为主。 同一类材料掺杂半导体吸收光的长波限比本征半导体吸收光的长波限长。 单色辐出度：任何物体的单色辐出度和单色吸收比之比，等于同一温度时绝对 黑体的单色辐出度。 ，含义：物体光谱发射率总等于其光谱吸收比， 也就是强吸收体必然是强发射体。 黑体中温度位移关系（维恩位移定律）：，B不变。 得：当绝对黑体的温度增高时，单色辐出度的最大值向短波方向移动。