第13章（學生本）.docVIP

第1部分　重點半導體製程簡介積體電路簡稱IC 2. 矽是現今主要的半導體材料， 砷化鎵 則常用於製作雷射二極體及發光二極體（LED）。 3. 在半導體材料的製程中，可以加入一些雜質原子，使其具有導電性質，若加入硼則稱為　　型半導體，加入磷或砷則稱為　 n 　型半導體。 IC的製作需要在無塵室中進行，室內空氣以高效能空氣微粒濾網（　HEPA　）過濾，溫度在23℃、相對溼度在　 45 　％最為適宜。 4. 長度單位：1mmm（公尺1μm（　微米　m（公尺；1nm奈米m（公尺 5. 摩爾定律：IC中可容納的電晶體數每隔　18　個月就能增加1倍，從而使性能也提升1倍。業界預測未來製程微小至　7　nm後，此定律將不再適用。 6. 晶棒與晶圓：由　矽砂　提煉成矽晶棒的過程稱為長晶或拉晶。矽晶棒再切成一片片厚度約0.5～0.8mm的晶圓，最後使用　化學機械研磨　法（CMP），將晶圓表面磨平及拋光。 7. IC的製程技術（　線寬　）是愈做愈小，可容納更多電路，提升功能。晶圓　直徑　是愈做愈大，當晶圓直徑增為2倍時，面積則增為　4　倍，大尺寸晶圓可分割出更多的IC，以獲得更好的生產效益。 8. IC製程步驟依序為薄膜製作→　微影製程　→蝕刻→離子植入→金屬化製程→封裝、測試。 (1) 常用的絕緣薄膜有　二氧化矽　、磷矽玻璃及氮化矽；導電薄膜有鋁、鋁銅合金、鈦、鎢等。 (2) 微影製程：是將的線路元件圖案，晶圓，以便後續蝕刻圖案，步驟為光阻塗→曝光→顯影。 (3) 蝕刻是以溼式化學法或乾式電漿法，將未受光阻保護的薄膜　蝕穿　，以便離子植入或形成其他元件，乾式蝕刻為　非等向性　，效果比溼式蝕刻好。 (4) 離子植入是在晶圓　表面　局部植入硼或磷離子，使該部位形成一個具有正常功能的半導體元件。 (5) 　金屬化　製程：半導體元件之間以氣相沉積的鋁或鋁銅合金製成的導線來加以連接。 (6) 打線、封裝與測試：由晶圓分割下來的部分稱為晶片或　晶粒　。以金線導線連接IC晶片表面的銲盤與導線架稱為　打線　。以環氧樹脂或是陶瓷材料，將IC晶片及金線密封加以保護稱為　封裝　，最後進行晶片功能測試，以確保產品品質。 13-2　微細製造簡介 1.製造微小化零件及產品的技術稱為微細製造，其製品的尺度小至微米μm；m範圍LIGA製程及　精微機械　製造三大類。 2. 矽經過微影製程及蝕刻，可以製作積體電路、微感測器、微動器，上述三項基本元件可設計製作，形成一個具有特定功能的系統，稱為 微機電 系統1～　100　微米（μm）之間。 3. X光深刻精密電鑄模造成形LIGA）：簡稱光刻鑄模，製程結合了X光微影製程、電鑄及射出成形技術，用製造深寬比的微結構元件。 4.在X光微影製程中，須注意塗光阻的基板必須是　導體　，作為後續電鑄製的陰極。5. 　精微機械製造：指製品具有3D複雜形狀，且尺度介於　0.510　mm，公差介於510μm之間所需的製造技術。 7.微鍛造加工技術往往取決於模具的製作，模具材質使用碳化鎢超硬合金，因此加工必須大量依賴放電加工及超音波磨料加工等。 Top down）及　累加　技術（Bottom up）兩種。 9. 奈米結構除了尺寸小之外，還具有 高表面 ／體積比、高堆積密度以及高結構組合彈性的特徵。 10. 蓮葉表面的奈米結構，具有抗水防塵的自潔功能，稱為「　蓮花效應　」。碳元素構成的奈米碳管，直徑約為　1～4　nm，強度約為鋼的10～100倍，而重量僅有鋼的1/6，可應用於顯微探針及 微電極 材料。 13-3　其他製造技術 概述原型是指將產品由設計概念轉變實體模型，以供設計確認、產品修正、功能測試及模具開發之用。 快速原型技術簡稱RP　），3D列印，是結合了材料科學、CAD/CAM、數值控制及雷射技術，。 RP製程非常具有　設計　彈性，可製作任何形狀，材料可使用工程塑膠及　金屬　粉末（燒結），在具有足夠功能、強度及符合成本的前提下，亦可直接製成 零組件 使用，廣泛應用於機械、汽車、電子、通訊、航太科技等領域。 2. RP原理與製程步驟CAD實體圖形設計：將產品概念或是使用現有的實體圖檔直接用CAD　完成設計轉換　 STL 　檔。 分層加工成形：將材料在　水平　方向的斷面輪廓上，以分層的方式堆積；有伸出或中空部分需要　支撐　快速原型的成形方法SLA 　）。 (2) 以加熱頭熔化及擠出塑膠線材，並依工件斷面輪廓移動，一層一層堆疊出工件的RP方法為：　熔合沉積法　（FDM）。 (3) 將塑膠粉末材料或已摻有黏結劑的　金屬　粉末，以滾筒將粉末在加工平台鋪上一層，接著以雷射光掃描輪廓斷面，使材料融化或燒結而一層層堆疊出工件的RP方法為：雷射燒結法（　 SLS 　）。 4. 　逆向工程　（簡稱RE），是指與傳統先設計再製造出成品的流程相反的工程方式。 5. 逆向