硅材切割过程中的温度场分析.docVIP

硅材切割过程中的温度场分析 （浙江工业大学特种装备制造与先进加工技术教育部重点实验室，浙江 杭州 310014） CFD分析，并且分析了流体进口速度和进口温度对硅材温度分布的影响。结果表明，流体和硅材的温度在线走丝方向上逐渐升高，到出口附近最高，增大流体的进口速度或减小流体的进口温度,有利于降低硅材温度。 关键词：硅材切割 流固耦合 温度场 Finite Element Simulation of the Silicon Wiresaw Temperature Field [Abstract] Objectives:Temperature variation during slicing can cause bow and warp on silicon ingot, In this paper,the importance of the temperature control during silicon slicing is introduced, CFD is applied to simulate the temperature filed of fluid and silicon ingot in the fluid-solid coupling system. The temperature distribution and profile through vertical section of silicon wafer is obtained in different fluid inlet speed and temperature respectively. The result show that the temperature of the silicon and fluid increases along the wire direction and reach maximum near the outlet, higher speed and lower temperature of the inlet fluid both helps to reduce the silicon temperature during slicing. Keywords: silicon slicing; Fluid-solid coupling; temperature field;引言 集成电路(IC)是现代信息产业和信息社会的基础，是推动国民经济和社会化发展的最新技术,也是改造传统产业的核心技术。IC所用的材料全球90%以上都采用半导体硅材[1]。硅材切割作为硅材加工工艺流程的关键工序，其加工效率和加工质量直接关系到整个硅材生产的全局,线锯可分为自由磨粒线锯（或称游离磨料线锯）和固结磨料线锯，固结磨料线锯切割的特点是成本高、效率高，游离磨料线锯切割则刚好相反[2].目前工业上硅材的切片加工普遍使用游离磨料的线线锯切割，在游离磨粒线据中，用于切割的大多数能量都转化为热能，其中有1/2-2/3的热量被硅材吸收[3]，剩下的被磨液带走。即使切割过程中的材料去除率和热生产率都很低,但对于200mm直径的硅材，温度可以升高20°C[4]。根据硅材的属性，硅材在切割温度峰值处，会有10.04um的热膨胀，随着硅材向大直径方向发展，这一值将会更大，导致硅材的翘曲变形，影响硅材的表面性能以及机械性能，同时由于流体的粘度随着温度的升高而减小,温度的升高会降低磨削液的粘度，减小流体携带磨粒的能力，从而影响硅材切割效率[5]。因此，控制硅材切割过程中的温度，对于提高硅材表面的质量以及提高硅材的切割效率都有很重要的作用。由于实验室测温仪器的限制，无法测量硅材切割时候硅材与流体切割位置的温度，本文利用流体力学CFD软件分析了硅材与流体在线走丝方向上的温度场，并且分析了流体进口速度和进口温度对硅材温度分布的影响。 2. 有限元分析 2.1 物理建模 本文采用单线切割的模型，利用流体动力学分析软件CFD为分析工具，前处理软件建立单线切割模型以及网格划分如图1及图2所示，40×20×120mm，1 物理模型 图2 截面网格图 2.2 数学模型 本文流体区域应用的控制方程是三维不可压缩方程，固定区域应用能量方程，流体区域和固定区域流固耦合，求解时直接从相邻的单元求解中计算出热传导，其直角坐标系下的导热微分方程为[6]： （2.1）2，3，4 (2.2) 对于不可压缩流体，其流体密度为常数，连续性方程简化为： (2.3) 动量方程为: (2.4) （2.5） (2.6) (2.7) 其中为3个动量方程的广义源项. 固体区域的