《微电子学》--Chap03创新.ppt

3.3 MOS集成电路基础 一、集成电路中的MOSFET 按沟道的导电类型分：PMOS、NMOS、CMOS 按栅材料分：硅栅和铝栅。 NMOS还可分成：E/E MOS和E/D MOS DMOS和VMOS新结构 从工艺分： P阱工艺、N阱工艺或者双阱工艺 CMOS集成电路已成为整个半导体集成电路的主流技术，目前市场占有率超过95%。 CMOS是pMOSFET和nMOSFET串接起来的一种电路形式，为了在同一硅衬底上同时制作出p沟和n沟MOSFET，必须在同一硅衬底上分别形成n型和p型区域，并在n型区域上制作pMOSFET，在p型区域上制作nMOSFET。如果选用n型衬底，则可在衬底上直接制作pMOSFET，但对于nMOSFET必须在硅衬底上形成p型扩散区（常称为p阱）以满足制备nMOSFET的需要。 深亚微米CMOS晶体管结构STI(Shallow Trench Isolation)（浅沟道绝缘） 二、MOS数字集成电路 1 . MOS开关(以增强型NMOS为例) 一个MOS管可以作为一个开关使用，电路中Cl是其负载电容。 当Vg=‘0’时，T截止，相当于开关断开。 当Vg=‘1’时，T导通，相当于开关合上。 NMOS管开关 PMOS管开关 传输高电平’1’逻辑： 信号可以无损的传输； 传输低电平’0’逻辑： 信号传输有阈值损失； CMOS传输门(开关) CMOS传输门 为了解决NMOS管在传输’1’电平、PMOS在传输’0’电平时的信号损失，通常采用CMOS传输门作为开关使用。它是由一个N管和一个P管构成。工作时，NMOS管的衬底接地，PMOS管的衬底接电源，且NMOS管栅压Vgn与PMOS管的栅压Vgp极性相反。 Vgp=1，Vgn=0时：双管截止，相当于开关断开； Vgp=0，vgn=1时：双管有下列三种工作状态： ViVgn+Vtn N管导通， Vi Vgp+|Vtp| P管截止 Vi通过n管对Cl充电至：Vo=Vi ViVgn+Vtn N管导通，ViVgp+|Vtp| P管导通 Vi通过双管对Cl充电至：Vo=Vi Vi Vgn+Vtn N管截止，Vi Vgp+|Vtp| P管导通 Vi通过P管对Cl充电至：Vo=Vi 通过上述分析，CMOS传输门是较理想的开关，它可将信号无损地传输到输出端。 2.反相器 数字电路的最基本单元，逻辑“非”功能； 按负载元件：电阻负载、增强负载、耗尽负载和互补负载。 按负载元件和驱动元件之间的关系：有比反相器和无比反相器。 MOS反相器主要类型 电阻负载反相器（E/R） 增强型负载反相器（E/E） 饱和负载 非饱和负载 耗尽负载反相器（E/D） 栅漏短接的E/D反相器 栅源短接的E/D反相器 CMOS反相器 (a).电阻负载反相器（E/R） （b）.增强型负载反相器（E/E） E/E非饱和负载反相器 （c）.耗尽负载反相器（E/D） （d）CMOS反相器（一对互补的MOSFET组成） 3. CMOS反相器电压传输特性VTC CMOS反相器电压传输特性VTC CMOS反相器有以下优点： （1）传输特性理想，过渡区比较陡 （2）逻辑摆幅大：Voh=Vdd, Vol=0 （3）一般Vth位于电源Vdd的中点，即Vth=Vdd/2，因此噪声容限很大。 （4）只要在状态转换为b——e段时两管才同时导通，才有电流通过，因此功耗很小。 （5）CMOS反相器是利用p、n管交替通、断来获取输出高、低电压的，而不象单管那样为保证Vol足够低而确定p、n管的尺寸，因此CMOS反相器是无比（Ratio-Less）电路。 各种反相器对比 4. CMOS基本逻辑门 串连的NMOS可构造AND函数 并联的NMOS可构造OR函数 串连的PMOS可构造NOR函数 并联的PMOS可构造NAND函数 CMOS与非门（NAND） CMOS或非门（NOR） CMOS复合逻辑门 5. CMOS闩锁效应 防止latch-up的方法： 使N沟器件远离N阱，减小横向NPN管的b值；但会是芯片面积增大。 使Rnwell和Rpsubs尽量小； 使用尽量多的阱接触孔和衬底接触孔； 对于大电流器件使用保护环： PMOS管周围加接电源的N+保护环； NMOS管周围加接地的P+保护环； 大多数情况下，通过仔细地设计版图可以消除latch-up。 小结：Bipolar： 基区(Base)，基区宽度Wb 发射区(Emitter) 收集区(Collector) NPN，PNP 共发射极特性曲线 放大倍数?、? 特征频率fT 作 业 画出CMOS反相器的截面图和俯视图 画出双极晶体管的截面图 作业：给出下列表达式的CM