TOPswitch-II单片集成开关稳压电源及应用.docVIP

所示为一个12V、20W的次级受控反激式电源，在85～265V交流输入电压范围内工作。TOP224P为8脚塑封双列直插封装。输出电压由稳压二极管VD2的压降与光耦中U2中发光二极管的降压直接取样决定，通过调整变压器匝数比和稳压二极管的稳压值，就可以得到其他不同的输出电压值。 ?????? T1的次级绕组输出的高频电压经D2、C2、Ll和C3整流滤波后，产生直流12V输出。为了改善负载减轻时的负载调整率，用R2和VD2为12V输出提供一个预负载。 ?????? 偏置绕组产生的高频电压由D3和C4整流滤波，为光耦输出晶体管的集电极提供偏置，由光耦的输出晶体管去驱动TOP224P的控制脚。 ?????? Tl初级与次级间电容产生的发射电流被电容C7衰减。由初级电流波形中的梯形或三角形的基波和谐波产生的差模发射电流通过L2、Cl与C6衰减。C5滤掉芯片内部MOSFET控制极的驱动充电电流尖峰，并决定自动重启动频率，与R1和R3一起为控制环路提供补偿。 ?????? 交流输入电压经L2电感、BR桥式整流后，产生直流高压由变压器初级线圈加到芯片内部MOSFET漏极。D1和VDl组成吸收电路，抑制由于变压器漏感产生的尖峰电压。 ?????? 电路稳压工作过程：当输出电压升高时，即Vo↑→流过光耦中发光二极管的电流增大→光耦输出晶体管的集电极也相应增大→流进TOP224P控制脚的控制电流Ic ↑→PWM信号的占空比D↓→电压Vc↓而达到稳压的目的。反之，稳压控制过程相同。 ?设计注意事项 ??????? 在开关工作状态下，高频变压器的漏感产生的尖峰电压和初级的感应电压叠加后超过MOSFET的极限值，容易击穿IC。因此设计电路时，在变压器初级输入端必须加吸收电路以抑制过电压。 ?????? D1和VDl组成吸收电路，D1是超恢复二极管BYV26C，VDl为瞬态抑制二极管P6KE200。 ?????? 当开关管截止时，在初级线圈两端将产生下正上负的感应电压，当电压达到瞬态抑制二极管的击穿电压时，D1、VDl导通，从而吸收抑制反向电压。此开关电源采用TOP2××系列，可选择瞬态抑制二极管的击穿电压为200V。 ???? 开关变压器所用磁心必须是高频铁氧体磁心，安装时磁心要留有气隙，否则磁心极易饱和，使电感量大大下降，造成电流剧增而损坏IC。 ?????? 因为电路工作在高频状态，变压器次级要采用多股导线并绕，以减小“集肤效应”，造成损耗引起的变压器温度升高。 ?????? 调试电路时，注意控制脚电压最大为9V，电流100mA。不要超过极限值否则容易损坏IC。 ?????? 与其他类型的开关电源一样，由于TOP Switch-存在最小导通时间，为使其轻载或空载时的输出电压保持在一定的范围内，设计电路时，要在输出端设置一个最小负载。 ?????? 设计电路板时，源极引脚尽可能短，控制脚外接电容(Cj)应尽可能靠近并接在源极与控制极引脚两端。反馈同路中所用光电耦合器必须为线性光耦，因为光电耦合器担负着将输出电压的变化反馈到控制端的任务，而非线性光耦则无法做到这点。