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* 第20章 晶闸管 一种大功率半导体器件,出现于70年代。它的出现使半导体器件由弱电领域扩展到强电领域 。 体积小、重量轻、无噪声、寿命长、 容 量大(正向平均电流达千安、正向耐压 达数千伏)。 特点 20.1 晶闸管(可控硅SCR) 应用领域: 逆变 整流 (交流 直流) 斩波 (直流 交流) 变频 (交流 交流) (直流 直流) 此外还可作无触点开关等 20.1.1 基本结构 A(阳极) 四 层 半 导 体 K(阴极) G(控制极) P1 P2 N1 三 个 PN 结 N2 符号 A K G 20.1.2 工作原理 G K P1 P2 N1 N2 A P P N N N P A G K 示意图 A P P N N N P G K i g ? i g ??ig 工作原理分析 K A G T1 T2 工作原理说明 UAK 0 、UGK0时 T1导通 ib1 = i g iC1 = ?ig = ib2 ic2 =?ib2 = ??ig = ib1 T2导通 形成正反馈 晶闸管迅速导通; T1进一步导通 晶闸管开始工作时 ,UAK加反向电压, 或不加触发信号(即UGK = 0 ); 晶闸管导通后, UGK, 去掉 依靠正反馈, 晶闸管仍维持导通状态; 晶闸管截止的条件: (1) (2) 晶闸管正向导通后,令其截止,必须 减小UAK,或加大回路电阻,使晶闸管 中电流的正反馈效应不能维持。 晶闸管具有单向导电性 (正向导通条件:A、K间加正向电压,G、K间加触发信号); 2.晶闸管一旦导通,控制极失去作用 若使其关断,必须降低UAK或加大回路电阻,把阳极电流减小到维持电流以下。 结论 20.1.3 伏安特性 U I URS M UDS M URRM IH UDRM IF IG1=0A IG2 IG3 IG3 IG2 IG1 正向 反向 UDRM: 断态重复峰值电压。(晶闸管耐压值。 一般取 UDRM = 80% UDSM 。普通晶闸管 UDRM 为 100V---3000V) URRM:反向重复峰值电压。(控制极断路时, 可以重复作用在晶闸管上的反向重复电 压。一般取URRM = 80% URSM。普通晶 闸管URRM为100V--3000V) ITAV: 通态平均电流。(环境温度为40OC时,在 电阻性负载、单相工频 正弦半波、导电 角不小于170o的电路中,晶闸管允许的最大通态平均电流。普通晶闸管ITAV 为 1A---1000A。) 20.1.4 主要参数 IH:维持电流。(在室温下,控制极开路、晶闸管 被触发导通后,维持导通状态所必须的最 小电流。一般为几十到一百多毫安。) UG、IG:控制极触发电压和电流。(在室温下, 阳极电压为直流6V时,使晶闸管完全导通 所必须的最小控制极直流电压、电流 。一 般UG为1到5V,IG为几十到几百毫安。) 20.2 可控整流电路 20.2.1 单相半波可控整流电路(电阻性负载) (1)电路及工作原理 设u1为 正弦波 u2 0 时,加上触发电压 uG ,晶闸管导通 。且 uL 的大小随 uG 加入的早晚而变化; u2 0 时,晶闸管不通,uL = 0 。故称可控整流。 u1 u2 uT uL A G K RL (2)工作波形 t u2 t uG t uL t uT ? ? ?:控制角 ?:导通角 (3)输出电压及电流的平均值 ULAV = ILAV = 20.2.2 单相全波可控整流电路(电阻性负载) (1)电路及工作原理 u2 0的导通路径: u2 (A) T1 RL D2 u2 (B) T1、T2 --晶闸管 D1、D2 --晶体管 T1 T2 D1 D2 RL uL u2 A B + - T2 RL D1 u2 (A) u2 (B) u2 0的导通路径: T1、T2 --晶闸管 D1、D2 --晶体管 T1 T2 D1 D2 RL uL u2 A B + - (2)工作波形 t u2 t uG t uL t uT1 ?:控制角 ?:导通角 ? ? (3)输出电压及电流的平均值 ILAV = ULAV = * * *
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