MG产品为何使用ALSI.docVIP

MG产品布线使用ALSI，不使用ALSICU的原因？ ALSICU加入CU主要是为了防止电迁移，ALSICU的防电迁移能力强于ALSI，但是由于含CU，刻蚀困难,而且含CU导致AL膜电阻率增大 ALSI中加SI主要是为了防止AL,SI互溶，ALSI的防AL,SI互溶能力强于ALSICU，ALSI容易刻蚀，对SIO2的选择比很高 MG产品由于线宽大，多在2um以上，电迁移现象导致的断线对其影响较小，主要考虑AL,SI互溶和易于刻蚀，ALSI比ALSICU抗AL,SI互溶性能强，比ALSICU易于刻蚀，故MG产品选用ALSI MG产品SI衬底选用100晶向（为了减少界面态的影响），AL,SI互溶导致的尖刺现象尤为明显，尖刺现象在111晶向趋于横向扩展，在100晶向中趋于纵向扩展，双极电路采用111，MOS电路采用100 电迁移现象容易导致断线，线宽越小越明显 为什么加入CU会改善电迁移？ 在金属膜中，金属离子的传输主要沿晶界进行，加入CU后，CU原子与AL晶界缺陷的相互作用，表现在以溶质原子本身或以CUAL2形式在晶界处沉淀，占据了晶界处的空位，由于可供AL原子扩散的晶界空位点大大减少，或者说AL 在CUAL2中扩散系数小，从而改善了电迁移。 AL栅与SI栅的区别？ 早期的metal gate是先做S/D，S/D anneal后才能做Gate（因为Gate是金属不能承受高温），Gate