科技论文最终检索调研报告解析.docVIP

  1. 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  4. 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  5. 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  6. 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  7. 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
航天航空学院机电系电气及其自动化专业科技论文阅读及写作 检 索 说 明 书 作者:张蔚、兰逸新、孙庆强 指导老师:马盛林 2016年3月27日 目录 一、检索介绍及关键词分析 3 1.1 检索目的 3 1.2 检索策略 3 1.3 关键词分析 3 二、检索结果 4 2.1 SCI库中检索结果及分析 4 2.1.1 数据统计分析 4 2.1.2 研究特色分析 5 2.1.3 SCI库检索结论 6 2.2 EI库中检索结果及分析 7 2.2.1数据统计分析 7 2.2.2 研究特色分析 8 2.2.3 EI库检索结论 10 2.3 IEEE库中检索结果及分析 11 2.3.1 数据统计分析 11 2.3.2 研究特色分析 12 2.3.3 IEEE库检索结论 13 2.4 Springer库中检索结果及分析 14 2.4.1 数据统计分析 14 2.4.2 研究特色分析 15 2.4.3 Springer库检索结论 16 2.5 艾斯维尔Elsevier数据库检索结果及分析 17 2.5.1 数据统计分析 17 2.5.2 研究特色分析 18 2.5.3 艾斯维尔检索结论 20 2.6 美国专利数据库检索结果及分析 20 2.6.1 数据统计分析 20 2.6.2 专利内容分析 21 2.6.3 美国专利数据库检索结论 22 三 22 一、检索介绍及关键词分析 1.1 检索目的 随着传统的互联技术和封装技术的发展遇到越来越多的挑战和限制,发展三维系统封装技术已逐渐成为目前国际半导体行业研究热点和未来发展的新主题。TSV技术是三维系统封装的关键技术之一,是实现多芯片叠层化集成以及垂直电互联的关键。因此本研究报告对TSV技术的相关文献进行了检索分析,选取硅插入器(Si interposer)、TSV(through-silicon via);热力建模(thermal simulation)作为检索关键字,旨在研究硅插入器中的硅穿孔技术在热力建模方面的研究成果。 1.2 检索策略 为了使检索结果具有可靠性和全面性,我们选取了国际知名度和可靠性较高的5个文献库和1个专利库:分别是SCI、EI、IEEE、Springer、艾斯维尔数据库这五个文献数据库和美国专利数据库。第一先对检索结果进行关键词优化,提高检索结果的可靠性;第二分别从国别统计、研究热度和引用分析三个层面对检索结果进行统计类分析;第三分别从研究主题、研究方向、研究目的、研究防水、研究结果、研究水平六个方面对检索结果进行研究特色分析,使检索结果一目了然并且更具有深度。 1.3 关键词分析 本组选取的关键词是硅插入器(Si interposer)、TSV(through-silicon via);热力建模(thermal simulation),初步在SCI中尝试搜索得到4篇文件,可见关键词的限定度很高,并且搜索出的论文中用的词和我们的检索关键词相符,说明关键词的专业度很高;由于TSV和through-silicon via是缩写和全称的关系,考虑到有些文献中可能只会用到缩写或者只会用到全称,因此将关键词扩大为TSV或through-silicon via,以此对搜索结果进行优化。 二、检索结果 2.1 SCI库中检索结果及分析 上述关键词在SCI库中检索结果已附在excel表格中,因篇幅过长,就不再在文中重复显示。 2.1.1 数据统计分析 研究国别分析: 由上图可以看出研究这一课题的学者主要集中在美国、新加坡、中国,并且美国研究这一课题的热度高于中国和新加坡。 年度研究热度分析 由上图的趋势线可以看出,硅插入器中的硅穿孔技术在热力建模方面的研究近年来越来越热,在2011年到达热度顶峰。研究这一课题的学者主要集中在美国、新加坡、中国;2009年美国和新加坡最先研究这类课题,到了2012年中国才开始有关于此课题的论文发表在SCI上。 引用分析 从引用次数分析可以看出,论文2,3,4均为在IEEE上发表的文章,均被大量检索和引用;论文1为在ICEPT上发表的文章,未被引用;可看出引用次数与发表期刊的影响力明显是正相关的(IEEE国际知名度和影响力远高于ICEPT) 2.1.2 研究特色分析 从研究主题上看:Interfacial Stress in Through Silicon Vias一文主题是TSV的内界面压力;Development of Large Die Fine-Pitch Cu/low-k FCBGA Package with through Silicon via(TSV) Interposer 一文主题是带TSV嵌入器的大型 Cu/low-k FCBGA包的发展;Advanced

文档评论(0)

boss + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档