现代存储技术201405解析.ppt

Amorphous state Crystalline state Pulse Energy (?J) Amorphous state Crystalline state Pulse Energy (?J) 不同功率作用下晶态GeSbTe薄膜的块电阻率的变化 不同功率作用下晶态AgInSbTe薄膜的块电阻率的变化 以光纤锥尖探针取代通常光学头的物镜，直接将激光用锥尖形光纤或光导管引向被测物，在极近的距离内（亚微米量级）形成分辨率为几十个纳米的光点，作为信息存储的一个位，然后用扫描的方式形成显微图象来实现信息的读出。记录点尺寸可达10nm。 近场扫描光学探针记录技术 热辅助记录技术 磁记录设备的要求是体积越来越小，也就是区域密度越来越高，磁颗粒也就越小，当区域密度为20Gb/in2时，磁颗粒直径约为13nm，而当达到100 Gb/in2时，直径缩小到了9nm。当磁颗粒的体积太小的时候，能影响其磁滞的因素就不仅仅是外部磁场了，少量热量就会影响磁颗粒的磁滞，从而导致磁记录设备上的数据丢失，这种现象就是“超顺磁效应 ”。 热辅助记录技术（HAMR， Heat Assisted Magnetic Recording）：采用激光照射等手段将记录介质上一个非常小的区域瞬时加热，使其温度达到居里点附近，由于介质的矫顽力降低，容易用记录磁场相对较低的磁头在该位置记录一位信息。当热源除去以后，随着记录区域的冷却，该记录区域将很快恢复到原来的高矫顽力状态，所以该记录位将是非常稳定的。 采用这种方法既可以克服高矫顽力介质记录的困难，又能改善信息位的热稳定性，从而获得非常高的面记录密度。用这种技术将显著提高硬磁盘的面记录密度，预计可以比现行面密度提高约两个数量级。 采用这种方法既可以克服高矫顽力介质的写入困难，又能改善信息位的热稳定性。因此，该技术将显著提高硬磁盘的面记录密度。当记录位的尺寸为25nm×25nm时，记录密度就可以达到1TB/in2。 然而，如此诱人的目标变成现实并非易事，以1TB/in2的记录密度为例，如果磁盘转速达到对应的介质线速度为25m/s时，则记录一个bit位必须在1ns内完成。也就是说在1ns内要完成从加热到冷却的全过程，这在技术上具有相当的挑战性。另外，加热光斑聚焦到如此小的范围也受到衍射效应的限制。 采用短波长的蓝光，近场光学技术以及固体浸润式透镜聚焦技术等有望得到改善。2009年，夏普研制出了一种HAMR磁头，实现了道宽为70nm的数据写入，这相当于250 Gb/in2。 谢谢 * * * 1、掩膜加热到熔点温度以上； 2、晶态反射率要大于熔化区； 3、掩膜从熔化态迅速回到晶态 温度：后部(熔化态)大于前部(晶态) 反射：后部(熔化态)小于前部(晶态) 掩膜层 记录层 掩膜超分辨光存储技术 孔径探针型近场光存储技术 1、直径为纳米级孔径探针； 2、探针与记录介质的间距在近场范畴； 3、探针尺寸 ? 光束直径 固态浸没透镜近场光存储技术 1、高折射率透镜对光的折射和会聚获得高数值孔径光学系统； 2、透镜与记录介质的间距在近场范畴； 3、近场耦合将光能量导入记录介质； 近场光存储技术 超分辨近场 Super Resolution Structure（SRS） 结构主要由可写光盘及孔径层组成，孔径层通过透明介质层与可写DVD连成一体，如图所示，孔径层实际上是具有三阶非线性双稳态开关特性的薄膜，当激光脉冲上升沿来到时，微区薄膜处于高透射的开态，类似于照相机的快门开启，光脉冲通过该透明孔径对光盘进行记录，光脉冲撤离，孔径处于低透射的关态。 超分辨近场结构 GeSbTe (15nm) Sb (15nm) 这种孔径探针与可写光盘组成一体，可确保探针飞行高度一定，这高度实际就是介质层的厚度。适当选择激光波长、功率和脉宽，可获得超微孔径以达到超分辨记录的目的。200nm-70b/um2. 孔径型 散射型 在近场区域，透过小孔的光斑尺寸由孔大小决定而不是由激光波长决定，从而实现超分辨，孔径大小可调节激光能量分布控制。 粒子可以将光散射到离其在近场区域的光刻胶或记录层上从而实现超分辨。 掩膜层 记录层 掩膜层 记录层 掩膜超分辨近场光存储技术 超分辨光存储掩膜材料 硅薄膜 金属氧化物薄膜 光致变色和热致变色薄膜 硫系化合物薄膜 单质半金属薄膜 Jingsong Wei, Huan Ruan, Fuxi Gan, SPIE, 5060 (2003): 166-169 Si薄膜厚度对记录点读出性能的影响 硅单层薄膜的反射率随温度的变化 硅掩膜Super-RENS结构光盘的读出性能与掩膜厚度的关系 Wei-Chih Liu and Din Ping Tsai. , JAP, 42 (2B) 2003: 1031-1032 F.