材料科学基础结构缺陷摘要.pptVIP

Introduction to Material Science 材 料 科 学 基 础 缺陷在空间的分布情况 缺陷在空间的分布情况 缺陷在空间的分布情况 缺陷在空间的分布情况 第一节 点缺陷 第一节 点缺陷 第一节 点缺陷 第一节 点缺陷 第一节 点缺陷 第一节 点缺陷 第二节 线缺陷 第二节 线缺陷 四、位错的柏氏矢量( ) 四、位错的柏氏矢量( ) 四、位错的柏氏矢量( ) 四、位错的柏氏矢量( ) 四、位错的柏氏矢量( ) 四、位错的柏氏矢量( ) 四、位错的柏氏矢量( ) 四、位错的柏氏矢量( ) 四、位错的柏氏矢量( ) 四、位错的柏氏矢量( ) 四、位错的柏氏矢量( ) 四、位错的柏氏矢量( ) 五、位错的运动 位错的运动根据其运动形式分为两类： 位错的滑移 刃型位错的滑移 螺型位错的滑移 位错的攀移 正攀移 负攀移 刃型位错的滑移 刃型位错滑移的性质 一条刃型位错线滑移出整个晶体晶体后，晶体滑移上、下部分的相对滑移量为一个b，在晶体表面形成一个宽度为b的台阶。若有n条位错线扫过滑移面，则晶体产生nb的滑移量。 刃型位错的滑移面式位错线与其 所组成的平面。由于二者相互垂直，因此刃型位错的滑移面唯一。 螺型位错的滑移 螺型位错滑移的性质 螺型位错的位错线与 相互平行。 螺型位错的滑移面不唯一，螺型位错可在通过位错线的任何晶面上滑移。 位错的攀移 攀移基本概念 攀移： 通过空位或原子的扩散使刃型位错线离开原滑移面做上下移动。 攀移的分类 正攀移： 半原子面下端的原子扩散出去，即空位迁移到半原子面下端，半原子面缩小，位错线向上移动。 负攀移： 原子迁移到多余半原子面下端，半原子面扩大，位错线向下移动。 位错的攀移 位错攀移的演示 六、位错的弹性性质 理解位错的弹性性质，主要从以下两个方面着手： 位错的应力场； 位错的应变能； 位错的应力场 位错的应力场 位错的应力场 位错的应变能 单位长度螺型位错的应变能 单位长度刃型位错的应变能 位错的应变能 螺型位错应变能与刃型位错应变能的关系 单位长度位错的总应变能 单位长度位错的总应变能可简化为： 七、作用在位错上的力 单位长度位错所受的力（推动位错运动的力） 的方向永远垂直于位错线，并且沿滑移面指向未滑移区。 由于同一位错线上各点的 相同，所以只要作用在晶体上的切应力是均匀的，则位错线上各处所受的力f 的大小也相同。 八、位错之间的作用力 主要内容 两平行螺型位错间的作用力 两平行刃型位错间的作用力 相互平行的螺型位错与刃型位错之间，由于二者的 相互垂直，各自的应力场均没有使对方受应力分量作用，故彼此不发生作用。 八、位错之间的作用力 八、位错之间的作用力 九、实际晶体中的位错 实际晶体中的位错包括： 全位错 堆垛层错 不全位错 肖克莱（Shockley)不全位错； 弗兰克（Frank）不全位错； 全位错 规定： ＝单位点阵矢量 —— 单位位错 和 ＝单位点阵矢量整数倍 —— 全位错 统称为全位错。 几种晶体单位位错的 sc ： a 100 fcc ：a/2 110 bcc：a/2 111 bcp： a/3 1120 堆垛层错 在fcc中形成堆垛层错的三种途径： 滑移； 抽去一层（抽出型层错） 插入一层（插入型层错） 层错能 形成层错能时破坏了晶体点阵排列的正常周期性，故能使能量有些增加，这部分能量称为堆垛层错能，简称层错能（通常用γ表示）。 一般说来，γ越小，越容易出现层错。 不全位错 规定： ≠单位点阵矢量 —— 部分位错 和 ≠ 单位点阵矢量整数倍 —— 不全位错 统称为不全位错。 也可以认为堆垛层错区的边界线就是不全位错。 fcc中存在着两种不全位错： 肖克莱（Shockley)不全位错； 弗兰克（Frank）不全位错； 肖克莱（Shockley)不全位错 肖克莱 (Shockley) 不全位错具有如下特点： 与层错面（滑移面）平行； 可以是刃型、螺型或混合型位错； 只能在层错面上滑移； 肖克莱（Shockley)不全位错 肖克莱 (Shockley) 不全位错形成示意图： 弗兰克(Frank)位错 弗兰克位错具有如下特点：