大学半导体材料课后习题答案期末考试复习分析.docVIP

半导体材料复习资料 L。/kTE:物质相变熵，决定于物质的本性，共存两相的类别 TE为相变时平衡温度 L。为单个原子相变时内能的改变，并可近似的看作相变潜热 L。/TE 为单个原子的相变熵 y1 v 取向因子，取决于晶体结构和界面的取向，反应晶体的各向异性 v 为晶体内部的一个原子的近邻原子数，与晶体结构有关 y1为原子在界面内水平方向的近邻原子数，它取决于界面的取向 写出熔体生长时单晶炉内热场的基本要求并作出解释 ①熔体中：纵向温度梯度（dT/dz）L0，径向温度梯度（dT/dr）L0 即熔体内部温度高于熔点，保证熔体中不发生均匀成核同时坩埚璧处温 度高于熔点，保证坩埚边缘处不发生非均匀成核。 ②晶体中（dT/dz）s0,且大小相当，既能排出相变潜热又不因过大使缺陷增加而影响晶体的完整性。 写出熔体生长的界面热流连续方程并讨论晶体直径，生长速度与晶体散热和熔体供热之间的关系。说明实际生产中如何控制晶体直径。 （1）界面热流连续方程 （2）晶体直径，生长速度与晶体散热和熔体供热的关系 ①(dT/dz)s→大或(dT/dz)L→小，生长速度f→大 (dT/dz)s过大，晶体完整性降低（晶体残留热应力大，且不利于晶格整理 及位错攀移滑移） (dT/dz)L过小，产生组分过冷，使得固液界面不平坦，导致枝蔓生长甚至多 晶。 ②体系的最大生长速度（极限值），在理论上(dT/dz)L=0时，可得 （2）晶体直径，生长速度与晶体散热和熔体供热的关系 F=Qc-QL/Ad(～H) ③生长速度f一定时，A=（Qc-QL）/fdH Qc→大或QL→小，A→大(非稳定生长→建立新的稳态） ④A，f一定时（等径匀速生长），（Qc-QL）要一定，即QL要随Qc变化 （3）实际生产中控制晶体直径 ① 晶体生长速度与生长的晶体半径成反比 ② 在实际生产中，常用改变拉晶速度与加热功率来控制晶体半径 熔体生长的晶体中温度分布规律 （1）温度分布以晶体旋转轴z为对称轴，当r,z一定时，温度也相同；因此在z一定，即在一个水平面上,以r为半径的圆周上各点的温度都相同 （2）当r为常数时，θ=常数exp[-常数z],即晶体中温度随z增大而指数关系降低 （3）当h0时，环境冷却晶体，温度随r的增大而降低，此时晶体中等温线是凹向 熔体的。 当h0,即环境给晶体热量时，温度随r的增大而升高，此时晶体中等温线是凸 向熔体的 （4）当z为常数时，温度梯度的轴向分量为： 如h0，随r增加而减少： h0时，随r增加而增大。 写出正常情况下（不发生组分过冷）直拉单晶中生长各个阶段界面形状的变化 正常情况下，固液界面的宏观形状与等于熔点的等温面相吻合，由炉腔内热场决定 界面有：平坦，凸向熔体，凹向熔体三种情况 引晶，放肩：凸向熔体 等径生长：先平坦后再凹向熔体 写出直拉单晶生长工艺过程 籽晶熔接→引晶→缩颈→放肩→等径生长→收尾 第四章 1.解释下列概念： 小平面效应：晶体生长的固液界面，由于受坩埚中熔体等温线的限制，常常是弯曲的，如果在生长晶体时迅速提起晶体，则在固液界面处会出现一小片平整的平面，通常称之为小平面。小平面区杂质浓度与非小平面区差异很大。杂质在小平面区域分布异常的现象叫小平面效应 杂质条纹：由晶体中杂质浓度的起伏引起的腐蚀后表面出现宽窄不一条纹的现象 旋转性条纹：由于晶体转轴和热场轴不重合，引起生长的晶体中杂质浓度出现周期性的变化，这样形成的条纹 中子嬗变掺杂（NTD）:高纯区熔硅单晶放入原子反应堆进行中子照射，使同位素Si30激活嬗变为施主杂质P31进行掺杂-NTD。 漩涡缺陷：通常是指无位错单晶经西特尔腐蚀液腐蚀后，在晶体生长方向的横断面上、观察到的呈漩涡状分布的宏观缺陷花纹、微观上看是由浅底腐蚀坑组成的。是微缺陷的一种。 热施主效应：450℃热处理硅、SiO以最快速度